Infineon HEXFET IRLML6246TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,1 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23

Menge:

Stück

Produktinformationen:

Artikel-Nr.:
108EL-1657766

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IRLML6246TRPBF

EAN/GTIN:
5059043989099

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4,1 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 66 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.1V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.5V
Verlustleistung max. = 1,3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Breite = 1.4mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 12 V bis 25 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

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