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  MOSFET-Transistor bei Mercateo online kaufen (22.396 Angebote unter 23.568.334 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"MOSFET-Transistor"

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BROADCOM LIMITED ATF-34143-TR1G MOSFET, HF, SOT-343 (1 Angebot) 
RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja Bauform - HF-Transistor: SOT-343 Verlustleistung Pd: 725 mW Dauer-Drainstrom Id: 65 mA SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Betriebstemperatur, max.: 160 ᄚC MSL: MSL 1 -...
Broadcom
ATF-34143-TR1G
ab € 1,58*
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BROADCOM LIMITED ATF-54143-TR1G MOSFET, HF, HEMT, SOT-343 (1 Angebot) 
Betriebsfrequenz, max.: 6 GHz RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja Bauform - HF-Transistor: SOT-343 Verlustleistung Pd: 725 mW Dauer-Drainstrom Id: 120 mA SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Betriebstemper...
Broadcom
ATF-54143-TR1G
ab € 1,77*
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CLARE LCA110 RELAIS, MOSFET (1 Angebot) 
Durchlassstrom If: 2 mA Isolationsspannung: 3.75 kV Kontaktkonfiguration: SPST-NO Lastspannung, max.: 350 V SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Durchlasswiderstand, max.: 35 ohm Relaisanschlüsse: Durchstec...
Clare
LCA110
ab € 1,49*
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CLARE LCC120 SSR,OPTO MOSFET, 250V, 0.17A (1 Angebot) 
Durchlassstrom If: 10 mA Isolationsspannung: 3.75 kV Kontaktkonfiguration: SPDT Lastspannung, max.: 250 V SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Durchlasswiderstand, max.: 20 ohm Relaisanschlüsse: Durchsteckm...
Clare
LCC120
ab € 3,90*
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DIODES INC. BS170F MOSFET, N-KANAL, 60V, 0.15A, SOT-23 (1 Angebot) 
Schwellenspannung Vgs: 3 V Verlustleistung Pd: 330 mW Dauer-Drainstrom Id: 150 mA Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Bauform - Transistor: SOT-23 RoH...
Diodes
BS170F
ab € 0,259*
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DIODES INC. BS170P MOSFET, N-KANAL, E-LINE (2 Angebote) 
Schwellenspannung Vgs: 3 V Verlustleistung Pd: 625 mW Dauer-Drainstrom Id: 270 mA Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Bauform - Transistor: E-Line RoHS-konform bezügli...
Diodes
BS170P
ab € 0,273*
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DIODES INC. BSP75G MOSFET,SMART SCHALTER,SOT-223 (1 Angebot) 
Schwellenspannung Vgs: 2.1 V Verlustleistung Pd: 2.5 W Dauer-Drainstrom Id: 1.4 A Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Bauform - Transistor: SOT-223 Ro...
Diodes
BSP75G
ab € 0,568*
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DIODES INC. BSS138TA MOSFET, N-KANAL, 50V, SOT-23 (4 Angebote) 
Schwellenspannung Vgs: 1.5 V Verlustleistung Pd: 360 mW Dauer-Drainstrom Id: 200 mA Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pin(s) R...
Diodes
BSS138TA
ab € 0,0448*
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DIODES INC. DMC2400UV-7 MOSFET, N- & P-KANAL, 20V, SOT-563-6 (2 Angebote) 
Schwellenspannung Vgs: 900 mV Verlustleistung Pd: 450 mW Dauer-Drainstrom Id: 1.03 A Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pin(s)...
Diodes
DMC2400UV-7
ab € 0,0418*
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DIODES INC. DMC3028LSD MOSFET, NP-KANAL, DIODE, 30V, SO8 (1 Angebot) 
Schwellenspannung Vgs: 1 V Verlustleistung Pd: 1.3 W Dauer-Drainstrom Id: 5.5 A Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Pin(s) RoHS-ko...
Diodes
DMC3028LSD
ab € 0,168*
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MOSFET Infineon Technologies IRF7103PBF 1 N-Kanal 2 W SO-8 (2 Angebote) 
MOSFET (HEXFET/FETKY) Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 50 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (mi...
Infineon
IRF7103PBF
ab € 0,43*
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MOSFET Infineon Technologies IRLZ34NPBF 1 HEXFET 68 W TO-220 (3 Angebote) 
MOSFET Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 55 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): HEXFET · Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °...
Infineon
IRLZ34NPBF
ab € 0,339*
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VISHAY IRFPG50PBF MOSFET, N-KANAL, 1000V, 6.1A, TO-247AC (3 Angebote) 
Schwellenspannung Vgs: 4 V Verlustleistung Pd: 180 W Dauer-Drainstrom Id: 6 A Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Bauform - Transistor: TO-247AC RoHS-konform bezüglich...
Vishay
IRFPG50PBF
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,17A; 0,36W; SOT23 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 0.17A Leistung: 0.36W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 12Ω Montage: ...
ON Semiconductor
BSS123L
ab € 0,025*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150mA; 250mW; SOT23 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 150mA Leistung: 250mW Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 6Ω Montage: S...
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Weitere Informationen zum Thema MOSFET-Transistor
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Der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, kurz Mosfet

Der Mosfet gehört zu den aktiven elektronischen Bauelementen und funktioniert im Prinzip wie ein spannungsgesteuerter Widerstand. Er besitzt wie andere Transistoren ebenfalls drei Anschlüsse. Diese lauten aber beim Mosfet nicht Kollektor, Emitter und Basis, sondern Source, Drain und Gate. Am Anschluss Source liegt beim Mosfet die Quellspannung an. Der Stromfluss erfolgt zum Anschluss Drain. Über den Anschluss Gate kann die Höhe des Laststroms gesteuert werden. Im Gegensatz zum Transistor erfolgt beim Mosfet aber keine stromabhängige Steuerung des Bauteils, sondern eine spannungsabhängige Steuerung. An dieser Stelle besteht eine Ähnlichkeit zur Elektronenröhre, bei der ebenfalls die Steuerung spannungsabhängig ist. Die speziellen elektrischen Eigenschaften dieser Bauteile machen sie relativ empfindlich gegen elektrostatische Aufladungen.

Der Unterschied zwischen N-Kanal und P-Kanal

Es gibt zwei unterschiedliche Ansteuerungsarten bei Mosfets. Bei einem N-Kanal- Mosfet erfolgt die Ansteuerung des Anschlusses Gate über eine positive Spannung, während die Ansteuerung eines P-Kanal- Mosfet süber eine negative Steuerspannung erfolgen muss. Die Steuerspannung eines Mosfet sbezieht sich immer auf den Anschluss Source. Das heißt Folgendes: Die Steuerspannung bei einem N-Kanal-Mosfet muss immer einen positiven Wert gegenüber dem Anschluss Source aufweisen, während es bei einem P-Kanal-Mosfet ein negativer Spannungswert gegenüber dem Anschluss Source sein muss. N-Kanal-Mosfet kommen in der Praxis wesentlich häufiger vor als P-Kanal- Mosfets. Die entsprechende Ausführung ist bei der Artikelbezeichnung angegeben.

Mögliche Gehäusetypen von Mosfets

  • Auch Mosfet sgibt es in zahlreichen unterschiedlichen Gehäuseformen sowohl für die SMD-Technik als auch für den Einsatz in Schaltungen mit einem konventionellen Aufbau.
  • Zu den gängigen SMD-Bauteilen gehören beispielsweise die Gehäusetypen SO, SOT, SOIC, TSOP sowie TSSOP.
  • Bauteile in der konventionellen Technik besitzen beispielsweise die Gehäuseformen DIL und alle Gehäusetypen, die mit der Bezeichnung TO beginnen.

Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung

Die beiden Anschlüsse Drain und Source lauten übersetzt Abfluss und Quelle. Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung bezieht sich auf eben diese beiden Anschlüsse. Es handelt sich bei dieser Spannungsangabe um die maximal zulässige Spannung zwischen diesen beiden Anschlüssen eines solchen Bauteils.
Haben Sie Hinweise, Verbesserungs- oder Korrekturvorschläge zum Ratgebertext MOSFET-Transistor, dann informieren Sie uns bitte per Formular.

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