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  MOSFET-Transistor bei Mercateo online kaufen (19.331 Angebote unter 25.794.866 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"MOSFET-Transistor"

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INFINEON IRFR2407PBF MOSFET, N-KANAL, 75V, 42A, D-PAK (1 Angebot) 
Beschreibung: MOSFET, N-KANAL, 75V, 42A, D-PAK RoHS konform: Y-EX Spannung, Ugs th(V) typ.: 4 V Leistungsverlust Pd: 110 W Dauerstrom, Id: 42 A max. Betriebstemperatur: 175 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegren...
Infineon
IRFR2407PBF
ab € 0,512*
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INFINEON IRFR5305PBF MOSFET, P-KANAL, -55V, -31A, D-PAK (1 Angebot) 
Beschreibung: MOSFET, P-KANAL, -55V, -31A, D-PAK RoHS konform: Y-EX Spannung, Ugs th(V) typ.: -4 V Leistungsverlust Pd: 110 W Dauerstrom, Id: 31 A max. Betriebstemperatur: 175 ᄚC MSL: MSL 1 - unbeg...
Infineon
IRFR5305PBF
ab € 0,335*
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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1,2A; 0,36W; SC70-6 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 1.2A Leistung: 0.36W Gehäuse: SC70-6 Gate-Source Spannung: ±8V Widerstand im Leitungszustand: 0.389Ω Monta...
ON Semiconductor
FDG1024NZ
ab € 0,22*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5,3A; SOT23 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 5.3A Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: ±12V Widerstand im Leitungszustand: 32mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: ...
Taiwan Semiconductor
TSM320N03CX
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0,115A; 0,225W; SOT23 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.115A Leistung: 0.225W Gehäuse: SOT23 Widerstand im Leitungszustand: 3.75Ω Montage: SMD Hersteller: LUGUANG ...
LUGUANG ELECTRONIC
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; logic level; 55V; 27A; 56W; TO220AB (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Transistor-Art: logic level Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 27A Leistung: 56W Gehäuse: TO220AB Gate-Source Spannung: ±16V Widerstand im Leitu...
INFINEON (IRF)
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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6,8A; 125W; TO220AB (6 Angebote) 
Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -200V Drainstrom: -6.8A Leistung: 125W Gehäuse: TO220AB Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 0.5Ω Montag...
Vishay
IRF9640PBF
ab € 0,473*
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N-Kanal MOSFET FDP42AN15A0, 150 V 5 A, TO-220AB 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor MOSFET N-Ch 150V 5A TO220AB - Diskrete Bauteile - Transistoren MOSFET
Fairchild
FDP42AN15A0
ab € 4,95*
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 Paket
VISHAY SI2309CDS-T1-GE3 MOSFET, P-KANAL, -60V, -1.6A, SOT23 (4 Angebote) 
Beschreibung: MOSFET, P-KANAL, -60V, -1.6A, SOT23 RoHS konform: Ja Spannung, Ugs th(V) typ.: -1 V Leistungsverlust Pd: 1.7 W Dauerstrom, Id: -1.6 A max. Betriebstemperatur: 150 ᄚC MSL: - Bauform: S...
Vishay
SI2309CDS-T1-GE3
ab € 0,245*
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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2W; SO8 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -10A Leistung: 2W Gehäuse: SO8 Gate-Source Spannung: ±25V Widerstand im Leitungszustand: 13mΩ Montage: SMD G...
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AO4407A
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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -28A; 31W; TO252 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -40V Drainstrom: -28A Leistung: 31W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ Montage: SM...
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
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Crydom Halbleiterrelais Oberflächenmontage, 400 V / 12 A, MOSFET-Ausgang (4 Angebote) 
Haltleiterrelais zur Steuerung von Gleichstromlasten. Äußerst lange Betriebslebensdauer. MOSFET-Technologierelais können parallel verbunden werden, um höhere Lastströme zu schalten. Zu den Anwendun...
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N-Kanal MOSFET IRF644SPBF, 250 V 14 A, D2PAK (TO-263) 3-Pin (3 Angebote) 
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N-Kanal MOSFET SiHG47N60E-GE3, 600 V 47 A, TO-247AC 3-Pin (3 Angebote) 
Die Leistungs-MOSFETs der Serie E von Vishay umfassen Hochspannungs-Transistoren mit einem ultraniedrigen maximalen Widerstand und niedrigem Gütefaktor und ermöglichen schnelles Schalten. Sie sind ...
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N-Kanal MOSFET STW45NM50, 500 V 45 A, TO-247 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor MOSFET N-Ch 500V 45A TO247 - Diskrete Bauteile - Transistoren MOSFET
ST Microelectronics
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Weitere Informationen zum Thema MOSFET-Transistor
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Der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, kurz Mosfet

Der Mosfet gehört zu den aktiven elektronischen Bauelementen und funktioniert im Prinzip wie ein spannungsgesteuerter Widerstand. Er besitzt wie andere Transistoren ebenfalls drei Anschlüsse. Diese lauten aber beim Mosfet nicht Kollektor, Emitter und Basis, sondern Source, Drain und Gate. Am Anschluss Source liegt beim Mosfet die Quellspannung an. Der Stromfluss erfolgt zum Anschluss Drain. Über den Anschluss Gate kann die Höhe des Laststroms gesteuert werden. Im Gegensatz zum Transistor erfolgt beim Mosfet aber keine stromabhängige Steuerung des Bauteils, sondern eine spannungsabhängige Steuerung. An dieser Stelle besteht eine Ähnlichkeit zur Elektronenröhre, bei der ebenfalls die Steuerung spannungsabhängig ist. Die speziellen elektrischen Eigenschaften dieser Bauteile machen sie relativ empfindlich gegen elektrostatische Aufladungen.

Der Unterschied zwischen N-Kanal und P-Kanal

Es gibt zwei unterschiedliche Ansteuerungsarten bei Mosfets. Bei einem N-Kanal- Mosfet erfolgt die Ansteuerung des Anschlusses Gate über eine positive Spannung, während die Ansteuerung eines P-Kanal- Mosfet süber eine negative Steuerspannung erfolgen muss. Die Steuerspannung eines Mosfet sbezieht sich immer auf den Anschluss Source. Das heißt Folgendes: Die Steuerspannung bei einem N-Kanal-Mosfet muss immer einen positiven Wert gegenüber dem Anschluss Source aufweisen, während es bei einem P-Kanal-Mosfet ein negativer Spannungswert gegenüber dem Anschluss Source sein muss. N-Kanal-Mosfet kommen in der Praxis wesentlich häufiger vor als P-Kanal- Mosfets. Die entsprechende Ausführung ist bei der Artikelbezeichnung angegeben.

Mögliche Gehäusetypen von Mosfets

  • Auch Mosfet sgibt es in zahlreichen unterschiedlichen Gehäuseformen sowohl für die SMD-Technik als auch für den Einsatz in Schaltungen mit einem konventionellen Aufbau.
  • Zu den gängigen SMD-Bauteilen gehören beispielsweise die Gehäusetypen SO, SOT, SOIC, TSOP sowie TSSOP.
  • Bauteile in der konventionellen Technik besitzen beispielsweise die Gehäuseformen DIL und alle Gehäusetypen, die mit der Bezeichnung TO beginnen.

Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung

Die beiden Anschlüsse Drain und Source lauten übersetzt Abfluss und Quelle. Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung bezieht sich auf eben diese beiden Anschlüsse. Es handelt sich bei dieser Spannungsangabe um die maximal zulässige Spannung zwischen diesen beiden Anschlüssen eines solchen Bauteils.
Haben Sie Hinweise, Verbesserungs- oder Korrekturvorschläge zum Ratgebertext MOSFET-Transistor, dann informieren Sie uns bitte per Formular.

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