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  SMD-Transistor bei Mercateo online kaufen (8.142 Angebote unter 23.066.628 Artikeln)

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"SMD-Transistor"

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Transistor: PNP; bipolar; 45V; 800mA; 310mW; SOT23 (1 Angebot) 
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Gehäuse: SOT23 Verpackungs-Art: Rolle; Band Montage: SMD Polarisierung: bipolar Transistor-Typ: PNP Kollektor-Emitter-Spannung: 45V Kollektor-Emitter-Strom: 800mA T...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
BC807-40
ab € 0,01104*
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 Stück
N-Kanal IGBT IRGS14C40LPBF, 430 V 20 A, D2PAK (TO-263) 3-Pin (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter- = 430 V Verlustleistung max. = 125 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Ein...
Infineon
IRGS14C40LPBF
ab € 1,51*
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 Stück
INFINEON IR2103SPBF MOSFET/IGBT DRIVER HALF BRIDGE, SMD (1 Angebot) 
Ausgabeverzögerung: 150 ns Spitzenausgangsstrom: 360 mA Eingabeverzögerung: 680 ns Betriebstemperatur, max.: 125 ᄚC MSL: MSL 2 - 1 Jahr Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40 ᄚC Ve...
Infineon
IR2103SPBF
ab € 0,698*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 15A; 2,1W; SO8 (1 Angebot) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: TEXAS INSTRU...
Texas Instruments
CSD88539NDT
ab € 1,07*
pro Stück
 
 Stück
N-Kanal IGBT FGB20N60SFD, 600 V 20 A, D2PAK (TO-263) 3-Pin (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter- = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 208 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl =...
ON Semiconductor
FGB20N60SFD
ab € 2,65*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON IR2153SPBF MOSFET/IGBT DRIVER HALF BRIDGE, SMD (1 Angebot) 
Ausgabeverzögerung: 660 ns Spitzenausgangsstrom: 250 mA Eingabeverzögerung: 80 ns Betriebstemperatur, max.: 125 ᄚC MSL: MSL 2 - 1 Jahr Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40 ᄚC Ver...
Infineon
IR2153SPBF
ab € 0,641*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,17A; 0,225W; SOT23 (3 Angebote) 
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Rolle; Band Transistor-Typ: N-MOSFET Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 0.17A Widerstand im Le...
ON Semiconductor
BSS123LT1G
ab € 0,0229*
pro Stück
 
 Stück
N-Kanal IGBT FGB7N60UNDF, 600 V 14 A, D2PAK (TO-263) 3-Pin (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 14 A Kollektor-Emitter- = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 83 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl = ...
ON Semiconductor
FGB7N60UNDF
ab € 1,64*
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 Stück
INFINEON IR21094SPBF MOSFET/IGBT DRIVER HALF BRIDGE, SMD (1 Angebot) 
Ausgabeverzögerung: 200 ns Spitzenausgangsstrom: 350 mA Eingabeverzögerung: 750 ns Betriebstemperatur, max.: 125 ᄚC MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Pins: 14 Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40...
Infineon
IR21094SPBF
ab € 0,979*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,17A; 0,36W; SOT23 (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Polarisierung: unipolar Technologie: SIPMOS™ Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Kanal-Art: schwach Transistor-Typ: N-MOSFET Drain-Source Spannung: 100V Gate-Source Spannu...
Infineon
BSS169H6327XTSA1
ab € 0,0926*
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IGBT IXGT30N120B3D1, 1200 V 50 A, TO-268 3-Pin (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter- = 1200 V Gehäusegröße = TO-268 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Einfach Länge = 16.05mm Breite = 14mm Höhe = 5.1mm Abme...
IXYS
IXGT30N120B3D1
ab € 4,72*
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INFINEON IR2302SPBF MOSFET/IGBT TREIBER HALF BRIDGE,SMD (1 Angebot) 
Ausgabeverzögerung: 200 ns Spitzenausgangsstrom: 350 mA Eingabeverzögerung: 750 ns Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 2 - 1 Jahr Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40 ᄚC Ve...
Infineon
IR2302SPBF
ab € 2,14*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150mA; 250mW; SOT23 (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Rolle; Band Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Kanal-Art: stark Transistor-Typ: N-MOSFET Dr...
NEXPERIA
BSS123.215
ab € 0,0263*
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 Stück
N-Kanal IGBT FGD3040G2_F085, 300 V 41 A 1MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 41 A Kollektor-Emitter- = 300 V Gate-Source Spannung max. = ±10V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl = ...
ON Semiconductor
FGD3040G2-F085
ab € 0,76*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON IR2109SPBF MOSFET/IGBT DRIVER HALF BRIDGE, SMD (1 Angebot) 
Ausgabeverzögerung: 200 ns Spitzenausgangsstrom: 350 mA Eingabeverzögerung: 750 ns Betriebstemperatur, max.: 125 ᄚC MSL: MSL 2 - 1 Jahr Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40 ᄚC Ve...
Infineon
IR2109SPBF
ab € 1,16*
pro Stück
 
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