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  SMD-Transistor bei Mercateo online kaufen (7.767 Angebote unter 23.625.601 Artikeln)

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"SMD-Transistor"

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INFINEON IR2103SPBF MOSFET/IGBT DRIVER HALF BRIDGE, SMD (1 Angebot) 
Ausgabeverzögerung: 150 ns Spitzenausgangsstrom: 360 mA Eingabeverzögerung: 680 ns Betriebstemperatur, max.: 125 ᄚC MSL: MSL 2 - 1 Jahr Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40 ᄚC Ve...
Infineon
IR2103SPBF
ab € 0,629*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON IR21094SPBF MOSFET/IGBT DRIVER HALF BRIDGE, SMD (1 Angebot) 
Ausgabeverzögerung: 200 ns Spitzenausgangsstrom: 350 mA Eingabeverzögerung: 750 ns Betriebstemperatur, max.: 125 ᄚC MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Pins: 14 Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40...
Infineon
IR21094SPBF
ab € 0,98*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON IR2109SPBF MOSFET/IGBT DRIVER HALF BRIDGE, SMD (1 Angebot) 
Ausgabeverzögerung: 200 ns Spitzenausgangsstrom: 350 mA Eingabeverzögerung: 750 ns Betriebstemperatur, max.: 125 ᄚC MSL: MSL 2 - 1 Jahr Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40 ᄚC Ve...
Infineon
IR2109SPBF
ab € 1,15*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON IR2153SPBF MOSFET/IGBT DRIVER HALF BRIDGE, SMD (1 Angebot) 
Ausgabeverzögerung: 660 ns Spitzenausgangsstrom: 250 mA Eingabeverzögerung: 80 ns Betriebstemperatur, max.: 125 ᄚC MSL: MSL 2 - 1 Jahr Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40 ᄚC Ver...
Infineon
IR2153SPBF
ab € 0,558*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON IR2302SPBF MOSFET/IGBT TREIBER HALF BRIDGE,SMD (1 Angebot) 
Ausgabeverzögerung: 200 ns Spitzenausgangsstrom: 350 mA Eingabeverzögerung: 750 ns Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 2 - 1 Jahr Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40 ᄚC Ve...
Infineon
IR2302SPBF
ab € 1,46*
pro Stück
 
 Stück
ON SEMICONDUCTOR MC1413DG DARLINGTON-ARRAY, 7NPN, SMD, 1413 (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 1000 hFE RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja Verlustleistung Pd: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) DC-Kollektorstrom: 500 mA Betriebstemperatur, max.: 85 ᄚC MSL: MSL 1 - unbeg...
ON Semiconductor
MC1413DG
ab € 0,156*
pro Stück
 
 Stück
Transistor 2SB1216S-TL-E PNP 100 V 4 A 1 MHz, HFE:140, TP-FA 4-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = 4 A Kollektor-Emitter- = 100 V Gehäusegröße = TP-FA Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 20 W Gleichstromverstärkung min. = 140 Transistor-Konfigur...
ON Semiconductor
2SB1216S-TL-E
ab € 1,98*
pro 5 Stück
 
 Paket
Transistor MJB42CT4G PNP 100 V 6 A 1 MHz, HFE:15, D2PAK (TO-263) 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = 6 A Kollektor-Emitter- = 100 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 65 W Gleichstromverstärkung min. = 15 Transistor-...
ON Semiconductor
MJB42CT4G
ab € 4,41*
pro 5 Stück
 
 Paket
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,17A; 0,36W; SOT23 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 0.17A Leistung: 0.36W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 12Ω Montage: ...
ON Semiconductor
BSS123L
ab € 0,0249*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150mA; 250mW; SOT23 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 150mA Leistung: 250mW Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 6Ω Montage: S...
NEXPERIA
BSS123.215
ab € 0,0265*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8,3A; 2,5W; SO8 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 8.3A Leistung: 2.5W Gehäuse: SO8 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszusta...
INFINEON (IRF)
IRF7853PBF
ab € 0,67*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2,6A; 1,8W; SOT223 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SIPMOS™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 2.6A Leistung: 1.8W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszus...
Infineon
BSP318SH6327XTSA1
ab € 0,201*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: NPN; bipolar; 45V; 500mA; 310mW; SOT23 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: NPN Polarisierung: bipolar Kollektor-Emitter-Spannung: 45V Kollektor-Emitter-Strom: 500mA Power dissipation: 310mW Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Verpackungs-Art: Band; Rolle Frequenz:...
Diodes
BC817-40
ab € 0,0182*
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 Stück
Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0,1A; 230mW; SC59; R1:10kΩ (1 Angebot) 
Transistor-Typ: NPN Polarisierung: bipolar Transistor-Art: BRT Kollektor-Emitter-Spannung: 50V Kollektor-Emitter-Strom: 0.1A Power dissipation: 230mW Gehäuse: SC59 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rol...
ON Semiconductor
MUN2211T1G
ab € 0,01097*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: PNP; bipolar; 45V; 800mA; 310mW; SOT23 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: PNP Polarisierung: bipolar Kollektor-Emitter-Spannung: 45V Kollektor-Emitter-Strom: 800mA Power dissipation: 310mW Gehäuse: SOT23 Transistorverstärkung: 400 Montage: SMD Verpackungs...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
BC807-40
ab € 0,01095*
pro Stück
 
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