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  SMD-Transistor bei Mercateo online kaufen (8.579 Angebote unter 23.404.635 Artikeln)

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"SMD-Transistor"

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N-Kanal IGBT STGB10NC60HDT4, 600 V 10 A 1MHz, D2PAK (TO-263) 3-Pin (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter- = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 65 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl = ...
ST Microelectronics
STGB10NC60HDT4
ab € 0,54*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,17A; 0,36W; SOT23 (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Polarisierung: unipolar Technologie: SIPMOS™ Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Kanal-Art: schwach Transistor-Typ: N-MOSFET Drain-Source Spannung: 100V Gate-Source Spannu...
Infineon
BSS169H6327XTSA1
ab € 0,09*
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ON SEMICONDUCTOR MC33153DG IGBT TREIBER, SMD, 33153, SOIC8 (2 Angebote) 
Ausgabeverzögerung: 120 ns Spitzenausgangsstrom: 2 A Eingabeverzögerung: 80 ns Betriebstemperatur, max.: 105 °C MSL: - Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40 °C Versorgungsspannung...
ON Semiconductor
MC33153DG
ab € 0,81*
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Transistor BC807-40,215 PNP 45 V 500 mA 80 MHz, HFE:40, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin (3 Angebote) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = 500 mA Kollektor-Emitter- = 45 V Gehäusegröße = SOT-23 (TO-236AB) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 250 mW Gleichstromverstärkung min. = 40 Tran...
Nexperia
BC807-40,215
ab € 0,02*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8,5A; 125W; D2PAK (4 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Transistor-Typ: N-MOSFET Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 8.5A Widerstand im Lei...
Vishay
IRF644SPBF
ab € 0,79*
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INFINEON IR2103SPBF MOSFET/IGBT DRIVER HALF BRIDGE, SMD (2 Angebote) 
Ausgabeverzögerung: 150 ns Spitzenausgangsstrom: 360 mA Eingabeverzögerung: 680 ns Betriebstemperatur, max.: 125 °C MSL: MSL 2 - 1 Jahr Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40 °C Ve...
Infineon
IR2103SPBF
ab € 0,64*
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NPN Digitaler Transistor MMUN2232LT1G 50 V 100 mA Eingangswiderstand 4,7 kΩ, Verhältnis 1, SOT-23 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Dauer-Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter- = 50 V Eingangswiderstand typ. = 4,7 kΩ Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = SOT-23 Pinanzahl...
ON Semiconductor
MMUN2232LT1G
ab € 0,01*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7,6A; 2,5W; SO8 (1 Angebot) 
Hersteller: Infineon (IRF) Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SO8 Polarisierung: unipolar Montage: SMD Technologie: HEXFET® Transistor-Typ: N-MOSFET Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 7.6A Verlust...
INFINEON (IRF)
IRF7478TRPBF
ab € 0,36*
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ON SEMICONDUCTOR MMBFJ177 TRANSISTOR, JFET, P, SMD, SOT-23 (1 Angebot) 
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -1.5 mA Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: 2.5 V Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: -20 mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Durchbruchspannu...
ON Semiconductor
MMBFJ177
ab € 0,11*
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NPN Digitaler Transistor MUN2211T1G 50 V 100 mA Eingangswiderstand 10 kΩ, Verhältnis 1, SOT-346 (SC-59) 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Dauer-Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter- = 50 V Eingangswiderstand typ. = 10 kΩ Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = SOT-346 (SC-59) P...
ON Semiconductor
MUN2211T1G
ab € 0,03*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 36W; DPAK (3 Angebote) 
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Rolle; Band Montage: SMD Gehäuse: DPAK Transistor-Typ: N-MOSFET Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 20A Gate-Source Spannung...
ON Semiconductor
NTD5867NLT4G
ab € 0,17*
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INFINEON IR21094SPBF MOSFET/IGBT DRIVER HALF BRIDGE, SMD (2 Angebote) 
Ausgabeverzögerung: 200 ns Spitzenausgangsstrom: 350 mA Eingabeverzögerung: 750 ns Betriebstemperatur, max.: 125 °C MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Pins: 14 Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40...
Infineon
IR21094SPBF
ab € 1,01*
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Transistor BC847B RF NPN 45 V 100 mA 100 MHz, HFE:200, SOT-23 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter- = 45 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 250 mW Gleichstromverstärkung min. = 200 Transistor-Kon...
Taiwan Semiconductor
BC847B RF
ab € 0,03*
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Transistor: NPN; bipolar; 45V; 100mA; 250mW; SOT23 (1 Angebot) 
Hersteller: CDIL Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle; Band Polarisierung: bipolar Transistor-Typ: NPN Kollektor-Emitter-Spannung: 45V Transistorverstärkung: 110...800 Kollektor-Emitt...
CDIL
BC847
ab € 0,01*
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STMICROELECTRONICS MJD31CT4 TRANSISTOR, NPN, SMD, TO-252 (2 Angebote) 
DC-Stromverstärkung hFE: 10 hFE Verlustleistung Pd: 15 W DC-Kollektorstrom: 3 A SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Betriebstemperatur, max.: 150 °C MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung V(br)...
ST Microelectronics
MJD31CT4
ab € 0,14*
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