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MULTICOMP PRO BC547B TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.1A, TO-92 (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45 V Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz ft: 300 MHz DC-Stromverstärkung hFE: 200 hFE Be...
MULTICOMP PRO
BC547B
ab € 0,0278*
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MULTICOMP PRO BC140-16 TRANSISTOR, NPN, TO-39 (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40 V Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz ft: 50 MHz DC-Stromverstärkung hFE: 250 hFE Betriebstemperatur, ...
MULTICOMP PRO
BC140-16
ab € 0,353*
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MULTICOMP PRO BC237B TRANSISTOR, NPN, TO-92 (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45 V Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz ft: 200 MHz DC-Stromverstärkung hFE: 290 hFE Be...
MULTICOMP PRO
BC237B
ab € 0,0312*
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MULTICOMP PRO BC847C TRANSISTOR, NPN, SOT-23 (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45 V Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz ft: - DC-Stromverstärkung hFE: 125 hFE Betriebs...
MULTICOMP PRO
BC847C
ab € 0,0321*
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Darlington-Transistor, TO-3, NPN, 500V (3 Angebote) 
Darlington-Transistor
NTE Electronics
NTE98
ab € 18,12*
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N-Kanal IGBT IRGB14C40LPBF 20 A, TO-220AB 3-Pin Einfach (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Verlustleistung max. = 125 W Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = Durchsteckmontage Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Einfach Länge = 10.54m...
Infineon
IRGB14C40LPBF
ab € 2,32*
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MULTICOMP PRO 2N2907A TRANSISTOR, PNP, 60V, 0.6A, TO-18 (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -60 V Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz ft: 200 MHz DC-Stromverstärkung hFE: 50 hFE Betriebstemperatur,...
MULTICOMP PRO
2N2907A
ab € 0,272*
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N-Kanal IGBT STGB10NC60HDT4, 600 V 10 A 1MHz, D2PAK (TO-263) 3-Pin Einfach (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter- = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 65 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl = ...
ST Microelectronics
STGB10NC60HDT4
ab € 0,98*
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DIODES INC. FZT1149A TRANSISTOR, PNP, SOT-223 (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 25 V Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz ft: 135 MHz DC-Stromverstärkung hFE: 450 hFE Be...
Diodes
FZT1149A
ab € 0,304*
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MULTICOMP PRO 2N3906 TRANSISTOR, 45V, 200MA, PNP, TO-92 (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -40 V Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz ft: 250 MHz DC-Stromverstärkung hFE: 100 hFE B...
MULTICOMP PRO
2N3906
ab € 0,033*
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MULTICOMP PRO BC107 TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.2A, TO-18 (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45 V Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz ft: 150 MHz DC-Stromverstärkung hFE: 110 hFE Betriebstemperatur,...
MULTICOMP PRO
BC107
ab € 0,25*
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MULTICOMP PRO BC857C TRANSISTOR, PNP, 0.1A, 45V, SOT23 (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -45 V Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz ft: 100 MHz DC-Stromverstärkung hFE: 420 hFE Betriebstemperatur...
MULTICOMP PRO
BC857C
ab € 0,0233*
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MULTICOMP PRO BC337 TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.5A, TO-92 (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45 V Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz ft: 100 MHz DC-Stromverstärkung hFE: 400 hFE Be...
MULTICOMP PRO
BC337
ab € 0,0334*
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MULTICOMP PRO BD249C TRANSISTOR, NPN, TO-247 (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 V Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz ft: - DC-Stromverstärkung hFE: 25 hFE Betriebstemperatur, max.:...
MULTICOMP PRO
BD249C
ab € 1,79*
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MULTICOMP PRO BCX56 TRANSISTOR, NPN, 1A, 80V, SOT89 (1 Angebot) 
Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz ft: - DC-Stromverstärkung hFE: 250 hFE Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: SOT-89 DC-Kollektorstrom: 1 A Qualifizierungsstandard der Autom...
MULTICOMP PRO
BCX56
ab € 0,1051*
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Weitere Informationen zum Thema Transistor
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Mit Transistoren Spannungen und Ströme schalten und verstärken

Überall dort, wo elektrische Signale geschaltet oder verstärkt werden sollen, kommt der Transistor zum Einsatz. Transistoren gibt es für nahezu unendlich viele verschiedene Einsatzzwecke. Unterschieden wird zwischen Leistungstransistoren zum Schalten von relativ hohen elektrischen Spannungen und Strömen sowie Kleinsignaltransistoren, welche hauptsächlich zum Verstärken von äußerst geringen elektrischen Signalen dienen. Sowohl Kleinsignaltransistoren als auch Leistungstransistoren können je nach Bauart in der Lage sein, hochfrequente Signale zu verstärken.

Der Bipolartransistor ist universell einsetzbar: NPN- und PNP- Modelle

Der am häufigsten eingesetzte Transistor ist der sogenannte Bipolartransistor. Von diesen Transistoren gibt es im Wesentlichen zwei Sorten: den NPN- und den PNP-Transistor. Ein NPN-Transistor kommt überall dort zum Einsatz, wo die Steuersignale aus positiven Ladungen bestehen. Soll der Transistor hingegen mit negativen Steuersignalen angesteuert werden, wird der PNP-Transistor eingesetzt. Der Arbeitsstrom eines solchen Transistors fließt über die Anschlüsse Kollektor und Emitter. Die Ansteuerung des Transistors erfolgt über den Anschluss Basis.

Unterschiedliche Gesichter, gleiche Funktionen – Gehäuseformen der Bauteile

Transistoren werden in unterschiedlichen Gehäuseformen hergestellt. So verwenden beispielsweise Kleinsignaltransistoren häufig das sogenannte TO-92-Gehäuse, während Leistungstransistoren meistens die Gehäuseform TO-220 besitzen. Transistoren für extrem hohe Kollektor-Emitter-Spannungen und -ströme werden sehr häufig in der Gehäusebauform TO-3 hergestellt.

Nicht der Strom, sondern die Spannung ist entscheidend - der Feldeffekttransistor

Eine besondere Form der Transistoren stellen sogenannte Feldeffekttransistoren, kurz FET, dar. Diese Transistorart unterscheidet sich von bipolaren Transistoren dadurch, dass sie nicht durch einen Strom, sondern durch eine Spannung angesteuert wird. Der Eingang des Feldeffekttransistors ist im Gegensatz zu den meisten anderen Transistoren hochohmig. Feldeffekttransistoren besitzen die Anschlüsse Source und Drain für den Arbeitsstrom sowie den Anschluss Gate für die Ansteuerung.

Klein aber fein: SMD-Transistoren

Wegen seiner platzsparenden Bauart wird heute immer häufiger der SMD-Transistor eingesetzt. Auch dieser ist in unterschiedlichen Gehäuseformen erhältlich, die mit den Buchstaben SOT beginnen. Auch von diesen Bauteilen gibt es sowohl NPN- als auch PNP-Transistoren mit unterschiedlichen maximalen Schaltspannungen und -strömen.

Ins richtige Licht gesetzt: der Fototransistor

Eine besondere Bauart vom Transistor ist der sogenannte Fototransistor. Dieser Transistor besitzt keinen Basisanschluss, sondern er wird über die Menge einfallenden Lichts angesteuert. Häufig wird der Fototransistor für Lichtschranken verwendet. Er besitzt eine lichtempfindliche Fläche und sein Arbeitsstrom ändert sich proportional zur Menge einfallenden Lichts.

Bitte beachten Sie!

  • Die Auswahl des richtigen Transistors hängt natürlich vom entsprechenden Einsatzzweck ab. Hierbei spielen mehrere Faktoren eine Rolle.
  • Der wichtigste Faktor ist die verwendete Betriebsspannung sowie die zu verstärkende oder zu schaltende Leistung.
  • Bei der Auswahl des richtigen Transistors sollte daher vor allem auf die entsprechende Kollektor-Emitter-Spannung geachtet werden.
  • Beim Kauf von Leistungstransistoren sollte gleich der richtige Kühlkörper mitbestellt werden, damit das Bauteil während des Betriebs nicht überhitzt.
Haben Sie Hinweise, Verbesserungs- oder Korrekturvorschläge zum Ratgebertext Transistor, dann informieren Sie uns bitte per Formular.

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
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