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MULTICOMP BC107B TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.2A, TO-18 (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 200 hFE Verlustleistung Pd: 600 mW DC-Kollektorstrom: 100 mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Betriebstemperatur, max.: 200 ᄚC MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45 V B...
Multicomp
BC107B
ab € 0,273*
pro Stück
 
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Transistor BC547B NPN 45 V 100 mA 300 MHz, HFE:110, TO-92 3-Pin (2 Angebote) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter- = 45 V Gehäusegröße = TO-92 Montage-Typ = Durchsteckmontage Verlustleistung max. = 500 mW Gleichstromverstärkung min. = 110 T...
ON Semiconductor
BC547B
ab € 0,0545*
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MULTICOMP BC847C TRANSISTOR, NPN, SOT-23 (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 125 hFE Verlustleistung Pd: 250 mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) DC-Kollektorstrom: 100 mA Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung...
Multicomp
BC847C
ab € 0,0268*
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Transistor: PNP; bipolar; 45V; 800mA; 310mW; SOT23 (1 Angebot) 
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Gehäuse: SOT23 Verpackungs-Art: Rolle; Band Montage: SMD Polarisierung: bipolar Transistor-Typ: PNP Kollektor-Emitter-Spannung: 45V Kollektor-Emitter-Strom: 800mA T...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
BC807-40
ab € 0,01101*
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Transistor 2N3442G NPN 140 V 10 A 40kHz, HFE:7,5, TO-204AA 2-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter- = 140 V Gehäusegröße = TO-204AA Montage-Typ = Durchsteckmontage Verlustleistung max. = 117 W Gleichstromverstärkung min. = 7.5 ...
ON Semiconductor
2N3442G
ab € 4,39*
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MULTICOMP BC177B TRANSISTOR, PNP, TO-18 (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 180 hFE Verlustleistung Pd: 600 mW DC-Kollektorstrom: 200 mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Betriebstemperatur, max.: 200 ᄚC MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45 V W...
Multicomp
BC177B
ab € 0,241*
pro Stück
 
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Transistor TIP35C NPN 100 V 25 A 3 MHz, HFE:10, TO-247 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 25 A Kollektor-Emitter- = 100 V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = Durchsteckmontage Verlustleistung max. = 125 W Gleichstromverstärkung min. = 10 Tra...
ST Microelectronics
TIP35C
ab € 1,02*
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ALLEGRO SANKEN 2SB1560 DARLINGTON-TRANSISTOR, TO-3P (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 5000 hFE Verlustleistung Pd: 100 W DC-Kollektorstrom: 10 A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150 V Ba...
Allegro Microsystems
2SB1560
ab € 1,53*
pro Stück
 
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MULTICOMP BC327.25 TRANSISTOR, PNP, -45V, -0.8A, TO-92 (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 400 hFE Verlustleistung Pd: 625 mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) DC-Kollektorstrom: 800 mA Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung...
Multicomp
BC327.25
ab € 0,0371*
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MULTICOMP BC141-16 TRANSISTOR, NPN, TO-39 (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 30 hFE Verlustleistung Pd: 800 mW DC-Kollektorstrom: 1 A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Betriebstemperatur, max.: 200 ᄚC MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60 V Baufo...
Multicomp
BC141-16
ab € 0,293*
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MULTICOMP BC846B TRANSISTOR, NPN, 0.1A, 65V, SOT23 (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 200 hFE Verlustleistung Pd: 250 mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) DC-Kollektorstrom: 100 mA Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65 V W...
Multicomp
BC846B
ab € 0,0222*
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ON SEMICONDUCTOR TIP42AG TRANSISTOR, PNP, -60V, -6A, TO-220 (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 15 hFE Verlustleistung Pd: 65 W DC-Kollektorstrom: -6 A SVHC: Lead (27-Jun-2018) Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: - Wandlerpolarität: PNP Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Bau...
ON Semiconductor
TIP42AG
ab € 0,221*
pro Stück
 
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CompactLine-Modul 2E/2A Transistor PNP AC2411 (6 Angebote) 
CompactLine-Modul 2E/2A Transistor PNP AC2411Bussystem AS-Interface, Aktives CompactLine-Modul, 60 x 118,2 x 27, AS-i Flachkabel direkt kontaktierbar, 2 Eingänge / 2 Ausgänge, Betriebsspannung: 26,...
ifm electronic
AC2411
ab € 165,22*
pro Stück
 
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Barthelme Transistor-Set 00430346 (2 Angebote) 
Transistor-Sortiment - NPN/PNP (120 teilig) Enthält 8 verschiedene Standardwerte Inhalt: 120 Teile Dieses Standard Transistor-Sortiment enthält die gängigsten Ausführungen von Transistoren. Enthalt...
Barthelme
00430346
ab € 10,80*
pro 120 Stück
 
 Paket
Darlington-Transistor TO-202 NPN 50 V (2 Angebote) 
Darlington-Transistor Gehäusetyp: TO-202 Polarität: NPN Kollektor-Emitter Spannung: 50 V Transitfrequenz: 75 MHz Verlustleistung: 6.25 W Verstärkung: 10000 ...60000 Verstärkung max.: 60000 Verstärk...
NTE Electronics
NTE265
ab € 6,33*
pro Stück
 
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Weitere Informationen zum Thema Transistor
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Mit Transistoren Spannungen und Ströme schalten und verstärken

Überall dort, wo elektrische Signale geschaltet oder verstärkt werden sollen, kommt der Transistor zum Einsatz. Transistoren gibt es für nahezu unendlich viele verschiedene Einsatzzwecke. Unterschieden wird zwischen Leistungstransistoren zum Schalten von relativ hohen elektrischen Spannungen und Strömen sowie Kleinsignaltransistoren, welche hauptsächlich zum Verstärken von äußerst geringen elektrischen Signalen dienen. Sowohl Kleinsignaltransistoren als auch Leistungstransistoren können je nach Bauart in der Lage sein, hochfrequente Signale zu verstärken.

Der Bipolartransistor ist universell einsetzbar: NPN- und PNP- Modelle

Der am häufigsten eingesetzte Transistor ist der sogenannte Bipolartransistor. Von diesen Transistoren gibt es im Wesentlichen zwei Sorten: den NPN- und den PNP-Transistor. Ein NPN-Transistor kommt überall dort zum Einsatz, wo die Steuersignale aus positiven Ladungen bestehen. Soll der Transistor hingegen mit negativen Steuersignalen angesteuert werden, wird der PNP-Transistor eingesetzt. Der Arbeitsstrom eines solchen Transistors fließt über die Anschlüsse Kollektor und Emitter. Die Ansteuerung des Transistors erfolgt über den Anschluss Basis.

Unterschiedliche Gesichter, gleiche Funktionen – Gehäuseformen der Bauteile

Transistoren werden in unterschiedlichen Gehäuseformen hergestellt. So verwenden beispielsweise Kleinsignaltransistoren häufig das sogenannte TO-92-Gehäuse, während Leistungstransistoren meistens die Gehäuseform TO-220 besitzen. Transistoren für extrem hohe Kollektor-Emitter-Spannungen und -ströme werden sehr häufig in der Gehäusebauform TO-3 hergestellt.

Nicht der Strom, sondern die Spannung ist entscheidend - der Feldeffekttransistor

Eine besondere Form der Transistoren stellen sogenannte Feldeffekttransistoren, kurz FET, dar. Diese Transistorart unterscheidet sich von bipolaren Transistoren dadurch, dass sie nicht durch einen Strom, sondern durch eine Spannung angesteuert wird. Der Eingang des Feldeffekttransistors ist im Gegensatz zu den meisten anderen Transistoren hochohmig. Feldeffekttransistoren besitzen die Anschlüsse Source und Drain für den Arbeitsstrom sowie den Anschluss Gate für die Ansteuerung.

Klein aber fein: SMD-Transistoren

Wegen seiner platzsparenden Bauart wird heute immer häufiger der SMD-Transistor eingesetzt. Auch dieser ist in unterschiedlichen Gehäuseformen erhältlich, die mit den Buchstaben SOT beginnen. Auch von diesen Bauteilen gibt es sowohl NPN- als auch PNP-Transistoren mit unterschiedlichen maximalen Schaltspannungen und -strömen.

Ins richtige Licht gesetzt: der Fototransistor

Eine besondere Bauart vom Transistor ist der sogenannte Fototransistor. Dieser Transistor besitzt keinen Basisanschluss, sondern er wird über die Menge einfallenden Lichts angesteuert. Häufig wird der Fototransistor für Lichtschranken verwendet. Er besitzt eine lichtempfindliche Fläche und sein Arbeitsstrom ändert sich proportional zur Menge einfallenden Lichts.

Bitte beachten Sie!

  • Die Auswahl des richtigen Transistors hängt natürlich vom entsprechenden Einsatzzweck ab. Hierbei spielen mehrere Faktoren eine Rolle.
  • Der wichtigste Faktor ist die verwendete Betriebsspannung sowie die zu verstärkende oder zu schaltende Leistung.
  • Bei der Auswahl des richtigen Transistors sollte daher vor allem auf die entsprechende Kollektor-Emitter-Spannung geachtet werden.
  • Beim Kauf von Leistungstransistoren sollte gleich der richtige Kühlkörper mitbestellt werden, damit das Bauteil während des Betriebs nicht überhitzt.
Haben Sie Hinweise, Verbesserungs- oder Korrekturvorschläge zum Ratgebertext Transistor, dann informieren Sie uns bitte per Formular.

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
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