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Transistor SOT-23 NPN 65 V 100 mA (1 Angebot) 
Transistor, Marking: 1B, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 65 V, Transitfrequenz: 100 MHz, Verlustleistung: 250 mW, Verstärkung: 200 ...450 , Verstärkung max.: 450, Ve...
Diotec
BC846B
ab € 0,049*
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Transistor BC547C A1 NPN 45 V 100 mA, HFE:420, TO-92 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor NPN 45V 100mA hfe420-800 TO92 - Diskrete Bauteile - Transistoren bipolar
Taiwan Semiconductor
BC547C A1
ab € 0,0247*
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Transistor (BJT) - Arrays STMicroelectronics ULN2803A DIP-18 8 NPN - Darlington (5 Angebote) 
Transistor (BJT) - Arrays Technische Daten: Anzahl Kanäle: 8 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 1000 · DC Stromverstärkung hFE...
ST Microelectronics
ULN2803A
ab € 0,34*
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Transistor TO-92 BL NPN 45 V 100 mA (2 Angebote) 
Transistor, Gehäusetyp: TO-92 BL, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 45 V, Transitfrequenz: 300 MHz, Verlustleistung: 500 mW, Verstärkung: 200 ...450 , Verstärkung max.: 450, Verstärkung m...
Diotec
BC547B
ab € 0,0347*
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Transistor SOT-323 NPN 65 V 0.1 A (1 Angebot) 
Transistor, Gehäusetyp: SOT-323, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 65 V, Transitfrequenz: 100 MHz, Verlustleistung: 0.2 W, Verstärkung: 200 ...450 , Verstärkung max.: 450, Verstärkung min...
NXP
BC846BW
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INFINEON IRGS14C40LPBF IGBT, D2-PAK (3 Angebote) 
Beschreibung: IGBT, D2-PAK RoHS konform: Y-EX Leistungsverlust Pd: 125 W DC Sammelstrom: 20 A SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) max. Betriebstemperatur: 175 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Spannung, Uceo(V): ...
Infineon
IRGS14C40LPBF
ab € 1,38*
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Transistor PMBT2222A NPN 40 V 600 mA 300 MHz, HFE:40, SOT-23 3-Pin (1 Angebot) 
Halbleiter PMBT2222A - Diskrete Bauteile - Transistoren bipolar
Nexperia
PMBT2222A
ab € 0,045*
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Transistor: PNP; bipolar; 100V; 1A; 500mW; SOT23 (4 Angebote) 
Transistor-Typ: PNP Polarisierung: bipolar Kollektor-Emitter-Spannung: 100V Kollektor-Emitter-Strom: 1A Leistungsverlust: 500mW Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle; Band Frequenz: 50...
Diodes
FMMT593TA
ab € 0,1103*
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Transistor: IGBT; 1200V; 60A; 300W; TO247-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: IGBT Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V Kollektor-Emitter-Strom: 60A Leistung: 300W Gehäuse: TO247-3 Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Hersteller: Infineon (IRF)
INFINEON (IRF)
IRGP30B120KD-EP
ab € 4,39*
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Transistor (BJT) - diskret Diotec BC337-25 TO-92 1 NPN (3 Angebote) 
Bipolar-Standard-Leistungstransistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - ...
Diotec
BC337-25
ab € 0,0591*
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Transistor (BJT) - diskret Fairchild Semiconductor BC558BTA TO-92-3 1 PNP (3 Angebote) 
Transistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · ...
Fairchild
BC558BTA
ab € 0,0227*
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Transistor SOT-23 NPN 45 V 0.1 A (1 Angebot) 
Transistor, Marking: 1G*, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 45 V, Transitfrequenz: 100 MHz, Verlustleistung: 0.25 W, Verstärkung: 420 ...800 , Verstärkung max.: 800, V...
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Transistor TO-92 NPN 70 V 400 mA (2 Angebote) 
Transistor, Gehäusetyp: TO-92, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 70 V, Transitfrequenz: 200 MHz, Verlustleistung: 600 mW, Verstärkung: 100 ...300 , Verstärkung max.: 300, Verstärkung min....
NTE Electronics
NTE85
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MOSFET/IGBT-Set Kemo Power MOSFET & IGBT Transistoren [S106] (3 Angebote) 
Power MOSFET & IGBT Transistoren-Set Das Set enthält ca. 20 Stück MOSFETs und IGBTs verschiedener Typen. Technische Daten: Hersteller: Kemo · Transistor-Typ (Kategorisierung): MOSFET/IGBT-Set · Typ...
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S106
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Transistor TO-92 BL NPN 45 V 800 mA (2 Angebote) 
Transistor, Gehäusetyp: TO-92 BL, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 45 V, Transitfrequenz: 100 MHz, Verlustleistung: 625 mW, Verstärkung: 250 ...600 , Verstärkung max.: 600, Verstärkung m...
Diotec
BC337-40
ab € 0,0597*
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Weitere Informationen zum Thema Transistor
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Mit Transistoren Spannungen und Ströme schalten und verstärken

Überall dort, wo elektrische Signale geschaltet oder verstärkt werden sollen, kommt der Transistor zum Einsatz. Transistoren gibt es für nahezu unendlich viele verschiedene Einsatzzwecke. Unterschieden wird zwischen Leistungstransistoren zum Schalten von relativ hohen elektrischen Spannungen und Strömen sowie Kleinsignaltransistoren, welche hauptsächlich zum Verstärken von äußerst geringen elektrischen Signalen dienen. Sowohl Kleinsignaltransistoren als auch Leistungstransistoren können je nach Bauart in der Lage sein, hochfrequente Signale zu verstärken.

Der Bipolartransistor ist universell einsetzbar: NPN- und PNP- Modelle

Der am häufigsten eingesetzte Transistor ist der sogenannte Bipolartransistor. Von diesen Transistoren gibt es im Wesentlichen zwei Sorten: den NPN- und den PNP-Transistor. Ein NPN-Transistor kommt überall dort zum Einsatz, wo die Steuersignale aus positiven Ladungen bestehen. Soll der Transistor hingegen mit negativen Steuersignalen angesteuert werden, wird der PNP-Transistor eingesetzt. Der Arbeitsstrom eines solchen Transistors fließt über die Anschlüsse Kollektor und Emitter. Die Ansteuerung des Transistors erfolgt über den Anschluss Basis.

Unterschiedliche Gesichter, gleiche Funktionen – Gehäuseformen der Bauteile

Transistoren werden in unterschiedlichen Gehäuseformen hergestellt. So verwenden beispielsweise Kleinsignaltransistoren häufig das sogenannte TO-92-Gehäuse, während Leistungstransistoren meistens die Gehäuseform TO-220 besitzen. Transistoren für extrem hohe Kollektor-Emitter-Spannungen und -ströme werden sehr häufig in der Gehäusebauform TO-3 hergestellt.

Nicht der Strom, sondern die Spannung ist entscheidend - der Feldeffekttransistor

Eine besondere Form der Transistoren stellen sogenannte Feldeffekttransistoren, kurz FET, dar. Diese Transistorart unterscheidet sich von bipolaren Transistoren dadurch, dass sie nicht durch einen Strom, sondern durch eine Spannung angesteuert wird. Der Eingang des Feldeffekttransistors ist im Gegensatz zu den meisten anderen Transistoren hochohmig. Feldeffekttransistoren besitzen die Anschlüsse Source und Drain für den Arbeitsstrom sowie den Anschluss Gate für die Ansteuerung.

Klein aber fein: SMD-Transistoren

Wegen seiner platzsparenden Bauart wird heute immer häufiger der SMD-Transistor eingesetzt. Auch dieser ist in unterschiedlichen Gehäuseformen erhältlich, die mit den Buchstaben SOT beginnen. Auch von diesen Bauteilen gibt es sowohl NPN- als auch PNP-Transistoren mit unterschiedlichen maximalen Schaltspannungen und -strömen.

Ins richtige Licht gesetzt: der Fototransistor

Eine besondere Bauart vom Transistor ist der sogenannte Fototransistor. Dieser Transistor besitzt keinen Basisanschluss, sondern er wird über die Menge einfallenden Lichts angesteuert. Häufig wird der Fototransistor für Lichtschranken verwendet. Er besitzt eine lichtempfindliche Fläche und sein Arbeitsstrom ändert sich proportional zur Menge einfallenden Lichts.

Bitte beachten Sie!

  • Die Auswahl des richtigen Transistors hängt natürlich vom entsprechenden Einsatzzweck ab. Hierbei spielen mehrere Faktoren eine Rolle.
  • Der wichtigste Faktor ist die verwendete Betriebsspannung sowie die zu verstärkende oder zu schaltende Leistung.
  • Bei der Auswahl des richtigen Transistors sollte daher vor allem auf die entsprechende Kollektor-Emitter-Spannung geachtet werden.
  • Beim Kauf von Leistungstransistoren sollte gleich der richtige Kühlkörper mitbestellt werden, damit das Bauteil während des Betriebs nicht überhitzt.
Haben Sie Hinweise, Verbesserungs- oder Korrekturvorschläge zum Ratgebertext Transistor, dann informieren Sie uns bitte per Formular.

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
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