Übersicht | "SMD-Transistor"Überbegriffe |
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IXYS IGBT / 50 A, 1200 V, 3-Pin TO-268 (1 Angebot) Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gehäusegröße = TO-268 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Einfach Abmessungen = 16.05 x 14 x 5.1mm Betrie... |
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ab € 9,15* pro Stück |
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IGBT, IXA4I1200UC-TRL (1 Angebot) IGBT, IXA4I1200UC-TRL, Littelfuse Der mit dem hochmodernen GenX IGBT-Prozess und einer Extreme-Light-Punch-Through-Designplattform hergestellte Baustein zeichnet sich durch hohe Strombelastbarkeit,... |
Littelfuse IXA4I1200UC-TRL |
ab € 1,14* pro Stück |
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ST Microelectronics MJD31CT4 |
ab € 0,17* pro Stück |
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ab € 0,148* pro Stück |
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ab € 42,87* pro Stück |
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IGBT, IXA4I1200UC-TUB (1 Angebot) IGBT, IXA4I1200UC-TUB, Littelfuse Der mit dem hochmodernen GenX IGBT-Prozess und einer Extreme-Light-Punch-Through-Designplattform hergestellte Baustein zeichnet sich durch hohe Strombelastbarkeit,... |
Littelfuse IXA4I1200UC-TUB |
ab € 0,98* pro Stück |
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ab € 1,29* pro Stück |
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ab € 1,83* pro 10 Stück |
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IGBT, IXA70I1200NA (1 Angebot) IGBT, IXA70I1200NA, Littelfuse Der mit dem hochmodernen GenX IGBT-Prozess und einer Extreme-Light-Punch-Through-Designplattform hergestellte Baustein zeichnet sich durch hohe Strombelastbarkeit, Ho... |
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ab € 25,45* pro Stück |
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Texas Instruments ULN2003ADR |
ab € 0,0985* pro Stück |
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ab € 3,98* pro 5 Stück |
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IGBT, IXA60IF1200NA (1 Angebot) IGBT, IXA60IF1200NA, Littelfuse Der mit dem hochmodernen GenX IGBT-Prozess und einer Extreme-Light-Punch-Through-Designplattform hergestellte Baustein zeichnet sich durch hohe Strombelastbarkeit, H... |
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ab € 22,58* pro Stück |
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ONSEMI MMUN2233LT1G TRANSISTOR, SMD, NPN (3 Angebote) Produktpalette: - MSL: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Einfach NPN Betri... |
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ab € 0,0351* pro Stück |
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ab € 3,02* pro 5 Stück |
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IGBT, IXBA14N300HV (1 Angebot) IGBT, IXBA14N300HV, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizie... |
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ab € 77,63* pro Stück |
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