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"MOSFET"

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Driver; Steuerung für bürstenlosen Gleichstrommotor; MOSFET (1 Angebot) 
<b>Hersteller</b>: ON SEMICONDUCTOR<br /><b>Gehäuse</b>: SO24<br /><b>Technologie</b>: MOSFET<br /><b>Montage</b>: SMD<br /><b>Integrierten Schaltkreises-Art</b>: Steuerung für bürstenlosen Gleichs...
ON Semiconductor
MC33035DWG
ab € 2,66*
pro Stück
 
 Stück
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS MAX15024AATB+T MOSFET-GATE-TREIBER, TDFN-10 (1 Angebot) 
Ausgabeverzögerung: 16 ns Spitzenausgangsstrom: 8 A Eingabeverzögerung: 16 ns Betriebstemperatur, max.: 125 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 10 Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40 ᄚC Ve...
Maxim Integrated
MAX15024AATB+T
ab € 0,504*
pro Stück
 
 Stück
MICROCHIP MIC4420YM IC, DRIVER, MOSFET, LOW SIDE, 6A (1 Angebot) 
Ausgabeverzögerung: 48 ns Spitzenausgangsstrom: 6 A Eingabeverzögerung: 18 ns Betriebstemperatur, max.: 85 ᄚC MSL: - Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40 ᄚC Versorgungsspannung, ...
Microchip Technology
MIC4420YM
ab € 1,18*
pro Stück
 
 Stück
ROHM QS6K1TR MOSFET, 2FACH, NN, 30V, 1A (2 Angebote) 
Schwellenspannung Vgs: 1.5 V Verlustleistung Pd: 900 mW Dauer-Drainstrom Id: 1 A Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6 Pin(s) RoHS-k...
Rohm Semiconductor
QS6K1TR
ab € 0,179*
pro Stück
 
 Stück
N-Kanal MOSFET IRF7403PBF, 30 V, 8,5 A, 22 mΩ, SOIC 8-Pin, 2,5 W, Serie HEXFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8,5 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Drain-Source-Widerstand max. = 22 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 1V Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Sp...
Infineon
IRF7403PBF
ab € 0,55*
pro Stück
 
 Stück
N-Kanal MOSFET NDD05N50ZT4G, 500 V, 5,5 A, 1,5 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 117 W Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5,5 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Drain-Source-Widerstand max. = 1,5 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Geh...
ON Semiconductor
NDD05N50ZT4G
ab € 2,41*
pro 5 Stück
 
 Paket
P-Kanal MOSFET FDN304P, 20 V, 2,4 A, 52 mΩ, SOT-23 3-Pin, 500 mW, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 2,4 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Drain-Source-Widerstand max. = 52 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V Gehäus...
ON Semiconductor
FDN304P
ab € 0,85*
pro 5 Stück
 
 Paket
P-Kanal MOSFET SPD08P06PGBTMA1, 60 V, 8,8 A, 300 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 42 W, Serie SIPMOS Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 8,8 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 300 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V Gate-Source...
Infineon
SPD08P06PGBTMA1
ab € 3,66*
pro 10 Stück
 
 Paket
Sensata / Crydom D06D80 Halbleiterrelais, Oberflächenmontage, 3,5 → 32 V dc Spule, MOSFET-Ausgang, 5 mA (1 Angebot) 
Laststrom min. = 5 mA Laststrom max. = 80 A Montage Typ = Oberflächenmontage Lastspannung max. = 60 V Steuerspannung min. = 3.5 V dc Steuerspannung max. = 32V Ausgangsschaltung = MOSFET Abmessungen...
Sensata / Crydom
D06D80
ab € 88,28*
pro Stück
 
 Stück
Sensata / Crydom D1D40 Halbleiterrelais, Oberflächenmontage, 3,5 → 32 V dc Spule, MOSFET-Ausgang, 1 mA (2 Angebote) 
Laststrom min. = 1 mA Laststrom max. = 40 A Montage Typ = Oberflächenmontage Lastspannung max. = 100 V Steuerspannung min. = 3.5 V dc Steuerspannung max. = 32V Ausgangsschaltung = MOSFET Abmessunge...
Sensata / Crydom
D1D40
ab € 60,87*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,17A; 0,36W; SOT23 (2 Angebote) 
<b>Hersteller</b>: INFINEON TECHNOLOGIES<br /><b>Polarisierung</b>: unipolar<br /><b>Technologie</b>: SIPMOS™<br /><b>Gehäuse</b>: SOT23<br /><b>Montage</b>: SMD<br /><b>Transistor-Typ</b>: N-MOSFE...
Infineon
BSS169H6327XTSA1
ab € 0,088*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3,4A; 2W; SO8 (1 Angebot) 
<b>Hersteller</b>: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR<br /><b>Polarisierung</b>: unipolar<br /><b>Montage</b>: SMD<br /><b>Gehäuse</b>: SO8<br /><b>Transistor-Typ</b>: N-MOSFET<br /><b>Drain-Source Spannu...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4486
ab € 0,33*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 140W; DPAK (1 Angebot) 
<b>Hersteller</b>: Infineon (IRF)<br /><b>Gehäuse</b>: DPAK<br /><b>Montage</b>: SMD<br /><b>Polarisierung</b>: unipolar<br /><b>Technologie</b>: HEXFET®<br /><b>Transistor-Typ</b>: N-MOSFET<br /><...
INFINEON (IRF)
IRFR15N20DPBF
ab € 0,66*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB (1 Angebot) 
<b>Hersteller</b>: Infineon (IRF)<br /><b>Gehäuse</b>: TO220AB<br /><b>Montage</b>: THT<br /><b>Polarisierung</b>: unipolar<br /><b>Technologie</b>: HEXFET®<br /><b>Verpackungs-Art</b>: Tube<br /><...
INFINEON (IRF)
IRF640NPBF
ab € 0,41*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9,9A; 2,5W; SO8 (1 Angebot) 
<b>Hersteller</b>: Infineon (IRF)<br /><b>Gehäuse</b>: SO8<br /><b>Verpackungs-Art</b>: Rolle<br /><b>Polarisierung</b>: unipolar<br /><b>Montage</b>: SMD<br /><b>Technologie</b>: HEXFET®<br /><b>E...
INFINEON (IRF)
IRL6342TRPBF
ab € 0,23*
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Weitere Informationen zum Thema MOSFET
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Der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, kurz Mosfet

Der Mosfet gehört zu den aktiven elektronischen Bauelementen und funktioniert im Prinzip wie ein spannungsgesteuerter Widerstand. Er besitzt wie andere Transistoren ebenfalls drei Anschlüsse. Diese lauten aber beim Mosfet nicht Kollektor, Emitter und Basis, sondern Source, Drain und Gate. Am Anschluss Source liegt beim Mosfet die Quellspannung an. Der Stromfluss erfolgt zum Anschluss Drain. Über den Anschluss Gate kann die Höhe des Laststroms gesteuert werden. Im Gegensatz zum Transistor erfolgt beim Mosfet aber keine stromabhängige Steuerung des Bauteils, sondern eine spannungsabhängige Steuerung. An dieser Stelle besteht eine Ähnlichkeit zur Elektronenröhre, bei der ebenfalls die Steuerung spannungsabhängig ist. Die speziellen elektrischen Eigenschaften dieser Bauteile machen sie relativ empfindlich gegen elektrostatische Aufladungen.

Der Unterschied zwischen N-Kanal und P-Kanal

Es gibt zwei unterschiedliche Ansteuerungsarten bei Mosfets. Bei einem N-Kanal- Mosfet erfolgt die Ansteuerung des Anschlusses Gate über eine positive Spannung, während die Ansteuerung eines P-Kanal- Mosfet süber eine negative Steuerspannung erfolgen muss. Die Steuerspannung eines Mosfet sbezieht sich immer auf den Anschluss Source. Das heißt Folgendes: Die Steuerspannung bei einem N-Kanal-Mosfet muss immer einen positiven Wert gegenüber dem Anschluss Source aufweisen, während es bei einem P-Kanal-Mosfet ein negativer Spannungswert gegenüber dem Anschluss Source sein muss. N-Kanal-Mosfet kommen in der Praxis wesentlich häufiger vor als P-Kanal- Mosfets. Die entsprechende Ausführung ist bei der Artikelbezeichnung angegeben.

Mögliche Gehäusetypen von Mosfets

  • Auch Mosfet sgibt es in zahlreichen unterschiedlichen Gehäuseformen sowohl für die SMD-Technik als auch für den Einsatz in Schaltungen mit einem konventionellen Aufbau.
  • Zu den gängigen SMD-Bauteilen gehören beispielsweise die Gehäusetypen SO, SOT, SOIC, TSOP sowie TSSOP.
  • Bauteile in der konventionellen Technik besitzen beispielsweise die Gehäuseformen DIL und alle Gehäusetypen, die mit der Bezeichnung TO beginnen.

Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung

Die beiden Anschlüsse Drain und Source lauten übersetzt Abfluss und Quelle. Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung bezieht sich auf eben diese beiden Anschlüsse. Es handelt sich bei dieser Spannungsangabe um die maximal zulässige Spannung zwischen diesen beiden Anschlüssen eines solchen Bauteils.
Haben Sie Hinweise, Verbesserungs- oder Korrekturvorschläge zum Ratgebertext MOSFET, dann informieren Sie uns bitte per Formular.

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
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UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
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