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"MOSFET"

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Infineon Technologies IRF7103PBF MOSFET 1 N-Kanal 2 W SO-8 (2 Angebote) 
MOSFET (HEXFET/FETKY) Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 50 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (mi...
Infineon
IRF7103PBF
ab € 0,43*
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BROADCOM LIMITED ATF-34143-TR1G MOSFET, HF, SOT-343 (1 Angebot) 
RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja Bauform - HF-Transistor: SOT-343 Verlustleistung Pd: 725 mW Dauer-Drainstrom Id: 65 mA SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Betriebstemperatur, max.: 160 ᄚC MSL: MSL 1 -...
Broadcom
ATF-34143-TR1G
ab € 1,58*
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BROADCOM LIMITED ATF-54143-TR1G MOSFET, HF, HEMT, SOT-343 (1 Angebot) 
Betriebsfrequenz, max.: 6 GHz RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja Bauform - HF-Transistor: SOT-343 Verlustleistung Pd: 725 mW Dauer-Drainstrom Id: 120 mA SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Betriebstemper...
Broadcom
ATF-54143-TR1G
ab € 1,76*
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CLARE LCA110 RELAIS, MOSFET (1 Angebot) 
Durchlassstrom If: 2 mA Isolationsspannung: 3.75 kV Kontaktkonfiguration: SPST-NO Lastspannung, max.: 350 V SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Durchlasswiderstand, max.: 35 ohm Relaisanschlüsse: Durchstec...
Clare
LCA110
ab € 1,49*
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IR2110PBF, 2-Kanal Mosfet-Treiber 2.5A, 10 → 20 V 14-Pin PDIP (1 Angebot) 
Anzahl der Treiber = 2 Arbeitsspannnung min. = 10 V Arbeitsspannnung max. = 20 V Topologie = Low / High Side Montage-Typ = Durchsteckmontage Spitzen-Ausgangsstrom = 2.5A Anzahl der Ausgänge = 2 Pol...
Infineon
IR2110PBF
ab € 1,77*
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INFINEON AUIRF1324WL. N CH MOSFET, AUTOMOTIVE, 24V, 240A, TO-2 (1 Angebot) 
Produktpalette: - Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00116 ohm Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 V Drain-Source-Spannung Vds: 24 V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - Unlim...
Infineon
AUIRF1324WL.
ab € 2,41*
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INFINEON IRF2903ZPBF. Mosfet IC, Transistor Polarity:N Channel (1 Angebot) 
Bauform - Transistor: TO-220AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - RoHS-konform bezüglich Phthalate: To Be Advised Dauer-Drainstrom Id: 75 A Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Betriebstemperat...
Infineon
IRF2903ZPBF.
ab € 1,97*
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INFINEON IRFR48ZPBF. MOSFET, Leaded Process Compatible:Yes, P (1 Angebot) 
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011 ohm Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 V Schwellenspannung Vgs: 4 V MSL: MSL 1 - Unlimited Drain-Source-Spannung Vds: 55 V Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 1...
Infineon
IRFR48ZPBF.
ab € 0,623*
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INFINEON IRS2127PBF. IC, MOSFET DRVR, Device Type:IGBT / MOSF (1 Angebot) 
Eingabeverzögerung: 150 ns SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Versorgungsspannung, min.: 10 V MSL: - Produktpalette: - Ausgabeverzögerung: 150 ns Spitzenausgangsstrom: 290 mA Bauform - Treiber: DIP Betrie...
Infineon
IRS2127PBF.
ab € 1,48*
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Driver; Steuerung für bürstenlosen Gleichstrommotor; MOSFET (2 Angebote) 
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für bürstenlosen Gleichstrommotor Technologie: MOSFET Anzahl Kanäle: 3 Montage: SMD Versorgungsspannung: 0...40V DC ...
ON Semiconductor
MC33035DWG
ab € 2,65*
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VISHAY IRFPG50PBF MOSFET, N-KANAL, 1000V, 6.1A, TO-247AC (3 Angebote) 
Schwellenspannung Vgs: 4 V Verlustleistung Pd: 180 W Dauer-Drainstrom Id: 6 A Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Bauform - Transistor: TO-247AC RoHS-konform bezüglich...
Vishay
IRFPG50PBF
ab € 1,57*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,17A; 0,36W; SOT23 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 0.17A Leistung: 0.36W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 12Ω Montage: ...
ON Semiconductor
BSS123L
ab € 0,0249*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150mA; 250mW; SOT23 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 150mA Leistung: 250mW Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 6Ω Montage: S...
NEXPERIA
BSS123.215
ab € 0,0265*
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MOSFET N, 500 V 14 A 180 W TO-247 (2 Angebote) 
MOSFET Betriebstemperatur: -55...+150 °C Gehäusetyp: TO-247 Polarität: N Variante: Anreicherungstyp Verlustleistung: 180 W
NTE Electronics
NTE2394
ab € 10,61*
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MOSFET N, 500 V 22 A 278 W TO-3P (1 Angebot) 
MOSFET Betriebstemperatur: -55...+150 °C Gehäusetyp: TO-3P Polarität: N Variante: Anreicherungstyp Verlustleistung: 278 W
NTE Electronics
NTE2970
ab € 15,78*
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Weitere Informationen zum Thema MOSFET
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Der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, kurz Mosfet

Der Mosfet gehört zu den aktiven elektronischen Bauelementen und funktioniert im Prinzip wie ein spannungsgesteuerter Widerstand. Er besitzt wie andere Transistoren ebenfalls drei Anschlüsse. Diese lauten aber beim Mosfet nicht Kollektor, Emitter und Basis, sondern Source, Drain und Gate. Am Anschluss Source liegt beim Mosfet die Quellspannung an. Der Stromfluss erfolgt zum Anschluss Drain. Über den Anschluss Gate kann die Höhe des Laststroms gesteuert werden. Im Gegensatz zum Transistor erfolgt beim Mosfet aber keine stromabhängige Steuerung des Bauteils, sondern eine spannungsabhängige Steuerung. An dieser Stelle besteht eine Ähnlichkeit zur Elektronenröhre, bei der ebenfalls die Steuerung spannungsabhängig ist. Die speziellen elektrischen Eigenschaften dieser Bauteile machen sie relativ empfindlich gegen elektrostatische Aufladungen.

Der Unterschied zwischen N-Kanal und P-Kanal

Es gibt zwei unterschiedliche Ansteuerungsarten bei Mosfets. Bei einem N-Kanal- Mosfet erfolgt die Ansteuerung des Anschlusses Gate über eine positive Spannung, während die Ansteuerung eines P-Kanal- Mosfet süber eine negative Steuerspannung erfolgen muss. Die Steuerspannung eines Mosfet sbezieht sich immer auf den Anschluss Source. Das heißt Folgendes: Die Steuerspannung bei einem N-Kanal-Mosfet muss immer einen positiven Wert gegenüber dem Anschluss Source aufweisen, während es bei einem P-Kanal-Mosfet ein negativer Spannungswert gegenüber dem Anschluss Source sein muss. N-Kanal-Mosfet kommen in der Praxis wesentlich häufiger vor als P-Kanal- Mosfets. Die entsprechende Ausführung ist bei der Artikelbezeichnung angegeben.

Mögliche Gehäusetypen von Mosfets

  • Auch Mosfet sgibt es in zahlreichen unterschiedlichen Gehäuseformen sowohl für die SMD-Technik als auch für den Einsatz in Schaltungen mit einem konventionellen Aufbau.
  • Zu den gängigen SMD-Bauteilen gehören beispielsweise die Gehäusetypen SO, SOT, SOIC, TSOP sowie TSSOP.
  • Bauteile in der konventionellen Technik besitzen beispielsweise die Gehäuseformen DIL und alle Gehäusetypen, die mit der Bezeichnung TO beginnen.

Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung

Die beiden Anschlüsse Drain und Source lauten übersetzt Abfluss und Quelle. Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung bezieht sich auf eben diese beiden Anschlüsse. Es handelt sich bei dieser Spannungsangabe um die maximal zulässige Spannung zwischen diesen beiden Anschlüssen eines solchen Bauteils.
Haben Sie Hinweise, Verbesserungs- oder Korrekturvorschläge zum Ratgebertext MOSFET, dann informieren Sie uns bitte per Formular.

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
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UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
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