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DIODES INC. BC846A TRANSISTOR, NPN, 65V, 0.1A, SOT23-3 (1 Angebot) 
Beschreibung: TRANSISTOR, NPN, 65V, 0.1A, SOT23-3 RoHS konform: Ja DC Stromgewinn hFE: 180 hFE Leistungsverlust Pd: 300 mW SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) DC Sammelstrom: 100 mA max. Betriebstemperatur...
Diodes
BC846A
ab € 0,0157*
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Transistor: IGBT; 1200V; 60A; 300W; TO247-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: IGBT Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V Kollektor-Emitter-Strom: 60A Leistung: 300W Gehäuse: TO247-3 Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Hersteller: Infineon (IRF)
INFINEON (IRF)
IRGP30B120KD-EP
ab € 4,41*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5,3A; SOT23 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 5.3A Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: ±12V Widerstand im Leitungszustand: 32mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: ...
Taiwan Semiconductor
TSM320N03CX
ab € 0,1158*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0,115A; 0,225W; SOT23 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.115A Leistung: 0.225W Gehäuse: SOT23 Widerstand im Leitungszustand: 3.75Ω Montage: SMD Hersteller: LUGUANG ...
LUGUANG ELECTRONIC
2N7002
ab € 0,0167*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; logic level; 55V; 27A; 56W; TO220AB (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Transistor-Art: logic level Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 27A Leistung: 56W Gehäuse: TO220AB Gate-Source Spannung: ±16V Widerstand im Leitu...
INFINEON (IRF)
IRLZ34NPBF
ab € 0,34*
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Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 3W; SOT223 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: NPN Polarisierung: bipolar Kollektor-Emitter-Spannung: 100V Kollektor-Emitter-Strom: 6A Leistungsverlust: 3W Gehäuse: SOT223 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle; Band Frequenz: 130M...
Diodes
ZXTN2011G
ab € 0,78*
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Transistor: NPN; bipolar; 150V; 5A; 3W; SOT223 (5 Angebote) 
Transistor-Typ: NPN Polarisierung: bipolar Kollektor-Emitter-Spannung: 150V Kollektor-Emitter-Strom: 5A Leistungsverlust: 3W Gehäuse: SOT223 Montage: SMD Verpackungs-Art: Band; Rolle Hersteller: DI...
Diodes
FZT855TA
ab € 0,36*
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DIODES INC. FZT600 DARLINGTON-TRANSISTOR, SOT-223 (1 Angebot) 
Beschreibung: DARLINGTON-TRANSISTOR, SOT-223 RoHS konform: Ja DC Stromgewinn hFE: 20000 hFE Leistungsverlust Pd: 2 W DC Sammelstrom: 2 A max. Betriebstemperatur: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anza...
Diodes
FZT600
ab € 0,293*
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INFINEON IRGS14C40LPBF IGBT, D2-PAK (3 Angebote) 
Beschreibung: IGBT, D2-PAK RoHS konform: Y-EX Leistungsverlust Pd: 125 W DC Sammelstrom: 20 A SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) max. Betriebstemperatur: 175 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Spannung, Uceo(V): ...
Infineon
IRGS14C40LPBF
ab € 1,24*
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MULTICOMP 2N3055 TRANSISTOR, NPN, 60V, 15A, TO-3 (1 Angebot) 
Beschreibung: TRANSISTOR, NPN, 60V, 15A, TO-3 RoHS konform: Y-EX DC Stromgewinn hFE: 5 hFE Leistungsverlust Pd: 115 W DC Sammelstrom: 15 A SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) max. Betriebstemperatur: 200 ᄚ...
Multicomp
2N3055
ab € 0,744*
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MULTICOMP BC107 TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.2A, TO-18 (1 Angebot) 
Beschreibung: TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.2A, TO-18 RoHS konform: Ja DC Stromgewinn hFE: 110 hFE Leistungsverlust Pd: 600 mW DC Sammelstrom: 100 mA SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) max. Betriebstemperatur: ...
Multicomp
BC107
ab € 0,408*
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MULTICOMP BC107A TRANSISTOR, NPN, TO-18 (1 Angebot) 
Beschreibung: TRANSISTOR, NPN, TO-18 RoHS konform: Ja DC Stromgewinn hFE: 110 hFE Leistungsverlust Pd: 600 mW DC Sammelstrom: 100 mA SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) max. Betriebstemperatur: 200 ᄚC MSL:...
Multicomp
BC107A
ab € 0,45*
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MULTICOMP BC107B TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.2A, TO-18 (1 Angebot) 
Beschreibung: TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.2A, TO-18 RoHS konform: Ja DC Stromgewinn hFE: 200 hFE Leistungsverlust Pd: 600 mW SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) DC Sammelstrom: 100 mA max. Betriebstemperatur: ...
Multicomp
BC107B
ab € 0,439*
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MULTICOMP BC557B TRANSISTOR, PNP, 45V, 0.1A, TO-92 (1 Angebot) 
Beschreibung: TRANSISTOR, PNP, 45V, 0.1A, TO-92 RoHS konform: Ja DC Stromgewinn hFE: 200 hFE Leistungsverlust Pd: 625 mW DC Sammelstrom: 100 mA max. Betriebstemperatur: 150 ᄚC MSL: - Bauform: TO-92...
Multicomp
BC557B
ab € 0,0368*
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INFINEON IRF2903ZPBF. Mosfet IC, Transistor Polarity:N Channel (2 Angebote) 
Beschreibung: Mosfet IC, Transistor Polarity:N Channel RoHS konform: Ja Hersteller: INFINEON Typ: IRF2903ZPBF.
Infineon
IRF2903ZPBF.
ab € 1,71*
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Weitere Informationen zum Thema Schalttransistor
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Mit Transistoren Spannungen und Ströme schalten und verstärken

Überall dort, wo elektrische Signale geschaltet oder verstärkt werden sollen, kommt der Transistor zum Einsatz. Transistoren gibt es für nahezu unendlich viele verschiedene Einsatzzwecke. Unterschieden wird zwischen Leistungstransistoren zum Schalten von relativ hohen elektrischen Spannungen und Strömen sowie Kleinsignaltransistoren, welche hauptsächlich zum Verstärken von äußerst geringen elektrischen Signalen dienen. Sowohl Kleinsignaltransistoren als auch Leistungstransistoren können je nach Bauart in der Lage sein, hochfrequente Signale zu verstärken.

Der Bipolartransistor ist universell einsetzbar: NPN- und PNP- Modelle

Der am häufigsten eingesetzte Transistor ist der sogenannte Bipolartransistor. Von diesen Transistoren gibt es im Wesentlichen zwei Sorten: den NPN- und den PNP-Transistor. Ein NPN-Transistor kommt überall dort zum Einsatz, wo die Steuersignale aus positiven Ladungen bestehen. Soll der Transistor hingegen mit negativen Steuersignalen angesteuert werden, wird der PNP-Transistor eingesetzt. Der Arbeitsstrom eines solchen Transistors fließt über die Anschlüsse Kollektor und Emitter. Die Ansteuerung des Transistors erfolgt über den Anschluss Basis.

Unterschiedliche Gesichter, gleiche Funktionen – Gehäuseformen der Bauteile

Transistoren werden in unterschiedlichen Gehäuseformen hergestellt. So verwenden beispielsweise Kleinsignaltransistoren häufig das sogenannte TO-92-Gehäuse, während Leistungstransistoren meistens die Gehäuseform TO-220 besitzen. Transistoren für extrem hohe Kollektor-Emitter-Spannungen und -ströme werden sehr häufig in der Gehäusebauform TO-3 hergestellt.

Nicht der Strom, sondern die Spannung ist entscheidend - der Feldeffekttransistor

Eine besondere Form der Transistoren stellen sogenannte Feldeffekttransistoren, kurz FET, dar. Diese Transistorart unterscheidet sich von bipolaren Transistoren dadurch, dass sie nicht durch einen Strom, sondern durch eine Spannung angesteuert wird. Der Eingang des Feldeffekttransistors ist im Gegensatz zu den meisten anderen Transistoren hochohmig. Feldeffekttransistoren besitzen die Anschlüsse Source und Drain für den Arbeitsstrom sowie den Anschluss Gate für die Ansteuerung.

Klein aber fein: SMD-Transistoren

Wegen seiner platzsparenden Bauart wird heute immer häufiger der SMD-Transistor eingesetzt. Auch dieser ist in unterschiedlichen Gehäuseformen erhältlich, die mit den Buchstaben SOT beginnen. Auch von diesen Bauteilen gibt es sowohl NPN- als auch PNP-Transistoren mit unterschiedlichen maximalen Schaltspannungen und -strömen.

Ins richtige Licht gesetzt: der Fototransistor

Eine besondere Bauart vom Transistor ist der sogenannte Fototransistor. Dieser Transistor besitzt keinen Basisanschluss, sondern er wird über die Menge einfallenden Lichts angesteuert. Häufig wird der Fototransistor für Lichtschranken verwendet. Er besitzt eine lichtempfindliche Fläche und sein Arbeitsstrom ändert sich proportional zur Menge einfallenden Lichts.

Bitte beachten Sie!

  • Die Auswahl des richtigen Transistors hängt natürlich vom entsprechenden Einsatzzweck ab. Hierbei spielen mehrere Faktoren eine Rolle.
  • Der wichtigste Faktor ist die verwendete Betriebsspannung sowie die zu verstärkende oder zu schaltende Leistung.
  • Bei der Auswahl des richtigen Transistors sollte daher vor allem auf die entsprechende Kollektor-Emitter-Spannung geachtet werden.
  • Beim Kauf von Leistungstransistoren sollte gleich der richtige Kühlkörper mitbestellt werden, damit das Bauteil während des Betriebs nicht überhitzt.
Haben Sie Hinweise, Verbesserungs- oder Korrekturvorschläge zum Ratgebertext Schalttransistor, dann informieren Sie uns bitte per Formular.

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
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