Kategorien
Deutschland
Deutsch
Mein Mercateo
Anmelden / Registrieren		Warenkorb
 		 
 >  >  >  > Transistor

  Transistor  (24.755 Angebote unter 29.256.389 Artikeln)Zum Expertenwissen

Folgende Filter helfen, die Artikelliste für die Suche „Transistor“ nach Ihren Wünschen zu verfeinern:
Filtern: Preis vonbis€  Wort 
Funktionen
☐
Übersicht

"Transistor"

Überbegriffe
Unterbegriffe
Anzeige
☐
☐
☐
☐
Bild
Artikel ^v
Hersteller/-Nr. ^v
Preis ^v
Bestellen
zurück
IGBT, 1.2kV, 66A, TO-247 (2 Angebote) 
IGBT, Typ=IXYH30N120C3D1, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Leckstrom=100 nA, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=1.2 kV, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung ...
IXYS
IXYH30N120C3D1
ab € 10,67*
pro Stück
 
 Stück
BUX82 TO-3 THT TRANSISTOR NPN (1 Angebot) 
Technologie: TRANSISTOR NPN Kollektor-Emitter-Spannung: 400 V Kollektor-Base-Spannung: 800 V Kollektorstrom: 6 A Verlustleistung: 75 W
INCHANGE
BUX82
ab € 0,62*
pro Stück
 
 Stück
SOLID STATE MJ16018 BJT, NPN, TO-3, Transistor Polarity:NPN, (1 Angebot) 
Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800 V Übergangsfrequenz: - MSL: - Dauer-Kollektorstrom: 10 A Qualifikation: - Verlustleistung: 175 W Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Produktpa...
Solid State
MJ16018
ab € 13,69*
pro Stück
 
 Stück
COMSET Semiconductors N-Kanal Power MOS Transistor, TO-220, IRF830PBF (1 Angebot) 
MOSFET NFET s Reihe IRF.../UF. Technische Merkmale (Typ, Polarität, Spannung (VDS), Widerstand (RDS), Strom (ID), Leistung, Gehäuse, Hersteller): IRF830, N, 500 V, 1500 m Ohm, 4,7 A, 75 W, TO220, C...
COMSET Semiconductors
IRF830PBF
ab € 0,59*
pro Stück
 
 Stück
Fairchild IGBT / 46 A ±14V max., 420 V 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 46 A Kollektor-Emitter-Spannung = 420 V Gate-Source Spannung max. = ±14V Verlustleistung max. = 250 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pin...
Fairchild
ISL9V5036S3ST
ab € 11,33*
pro 5 Stück
 
 Packung
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm (2 Angebote) 
Produktpalette: DTA123E Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wand...
ROHM Semiconductor
DTA123EETL
ab € 0,0285*
pro Stück
 
 Stück
IGBT, 1.2kV, 75A, TO-247AD (3 Angebote) 
IGBT, Typ=IXYH30N120C3, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Leckstrom=100 nA, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=1.2 kV, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung ma...
IXYS
IXYH30N120C3
ab € 6,48*
pro Stück
 
 Stück
BUX83 TO-3 THT TRANSISTOR NPN (1 Angebot) 
Technologie: TRANSISTOR NPN Kollektor-Emitter-Spannung: 450 V Kollektor-Base-Spannung: 1000 V Kollektorstrom: 6 A Verlustleistung: 75 W
INCHANGE
BUX83
ab € 0,65*
pro Stück
 
 Stück
COMSET Semiconductors N-Kanal SIPMOS Power Transistor, TO-220, BUZ31 (1 Angebot) 
SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en. N-Kanal-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ31, 200 V, 14,5 A, 0,2 Ohm, TO220
COMSET Semiconductors
BUZ31
ab € 1,76*
pro Stück
 
 Stück
DiodesZetex ZXT690BKTC SMD, NPN Transistor 45 V / 3 A 150 MHz, DPAK (TO-252) 4-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 3 A Kollektor-Emitter-Spannung = 45 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 3,9 W Gleichstromverstärkung min. = 400 Tra...
Diodes
ZXT690BKTC
ab € 1,99*
pro 5 Stück
 
 Packung
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm (2 Angebote) 
Produktpalette: DTC114E Series MSL: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Einfa...
ROHM Semiconductor
DTC114EUAT106
ab € 0,0291*
pro Stück
 
 Packungen
IGBT, 1.2kV, 90A, TO-247AD (3 Angebote) 
IGBT, Typ=IXYH40N120C3, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Leckstrom=100 nA, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=1.2 kV, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung ma...
IXYS
IXYH40N120C3
ab € 7,12*
pro Stück
 
 Stück
BUX98A TO-3 THT TRANSISTOR NPN (1 Angebot) 
Technologie: TRANSISTOR NPN Kollektor-Emitter-Spannung: 450 V Kollektor-Base-Spannung: 1000 V Kollektorstrom: 30 A Verlustleistung: 250 W
INCHANGE
BUX98A
ab € 3,28*
pro Stück
 
 Stück
COMSET Semiconductors N-Kanal SIPMOS Power Transistor, TO-220, BUZ12-T (1 Angebot) 
SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en. N-Kanal-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ12, 50 V, 42 A, 28 m Ohm, TO220, COMSET
COMSET Semiconductors
BUZ12-T
ab € 2,44*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 20 A ±20V max., 1200 V, 3-Pin TO-247AC N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = TO-247AC Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguratio...
Infineon
IRG4PH30KPBF
ab € 1,92*
pro Stück
 
 Stück
vorwärts
Artikel pro Seite: 10   15   20   50   100    Seite: zurück   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   1651   vorwärts
Weitere Informationen zum Thema Transistor
^

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.