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COMSET Semiconductors N-Kanal SIPMOS Power Transistor, TO-220, BUZ31 (1 Angebot) 
SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en. N-Kanal-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ31, 200 V, 14,5 A, 0,2 Ohm, TO220
COMSET Semiconductors
BUZ31
ab € 1,76*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm (2 Angebote) 
Produktpalette: DTC114E Series MSL: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Einfa...
ROHM Semiconductor
DTC114EUAT106
ab € 0,029*
pro Stück
 
 Packungen
Infineon IGBT / 20 A ±20V max., 1200 V, 3-Pin TO-247AC N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = TO-247AC Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguratio...
Infineon
IRG4PH30KPBF
ab € 1,91*
pro Stück
 
 Stück
Plasmaschneidegerät CUT 40 ST IGBT Einzelgerät m.Zub.STAHLWERK (2 Angebote) 
Der leistungsstarke STAHLWERK CUT 40 ST IGBT Plasmaschneider liefert kraftvolle 40 Ampere und verfügt über eine präzise Hochfrequenz (HF) Kontaktzündung für ein erstklassiges Zündverhalten. Die Sch...
STAHLWERK
1215-001
ab € 149,53*
pro Stück
 
 Stück
IGBT, 1.2kV, 90A, TO-247AD (3 Angebote) 
IGBT, Typ=IXYH40N120C3, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Leckstrom=100 nA, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=1.2 kV, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung ma...
IXYS
IXYH40N120C3
ab € 7,09*
pro Stück
 
 Stück
BUX98A TO-3 THT TRANSISTOR NPN (1 Angebot) 
Technologie: TRANSISTOR NPN Kollektor-Emitter-Spannung: 450 V Kollektor-Base-Spannung: 1000 V Kollektorstrom: 30 A Verlustleistung: 250 W
INCHANGE
BUX98A
ab € 3,28*
pro Stück
 
 Stück
COMSET Semiconductors N-Kanal SIPMOS Power Transistor, TO-220, BUZ12-T (1 Angebot) 
SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en. N-Kanal-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ12, 50 V, 42 A, 28 m Ohm, TO220, COMSET
COMSET Semiconductors
BUZ12-T
ab € 2,44*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V (2 Angebote) 
Produktpalette: UMD3N Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 kohm Anzahl der Pins: 6 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerp...
ROHM Semiconductor
UMD3NTR
ab € 0,0523*
pro Stück
 
 Packungen
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin TO-220AB N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 21 A Kollektor-Emitter-Spannung = 450 V Gate-Source Spannung max. = ±14V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl...
Fairchild
ISL9V3040P3
ab € 6,56*
pro 5 Stück
 
 Packung
Plasmaschneidegerät CUT 50 Pilot IGBT Einzelgerät m.Zub.STAHLWERK (2 Angebote) 
Der leistungsstarke STAHLWERK CUT 50 Pilot IGBT Plasmaschneider liefert kraftvolle 50 Ampere und verfügt über eine präzise Hochfrequenz (HF) Pilotzündung für ein erstklassiges Zündverhalten. Die Sc...
STAHLWERK
1209
ab € 247,94*
pro Stück
 
 Stück
IGBT, 1.7kV, 80A, SOT-227B (3 Angebote) 
IGBT, Typ=IXYN30N170CV1, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Leckstrom=100 nA, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=1.7 kV, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung m...
IXYS
IXYN30N170CV1
ab € 3,402*
pro Stück
 
 Stück
IGBT Modul NCH 1200V 25A 160W ECONO25-24 FP25R12KT4B15BOSA1 (1 Angebot) 
NCNR-Produkt ist nicht stornierbar/retournierbar, Leistungsmodul (PIM, IPM), FP25R12KT4B15BOSA1, Infineon Technologies Features * Niedrige Schaltverluste * Grundplatte aus Kupfer * Hohe Leistung un...
Infineon
FP25R12KT4B15BOSA1
ab € 73,81*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm (2 Angebote) 
Produktpalette: DTC123E Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wand...
ROHM Semiconductor
DTC123EETL
ab € 0,0365*
pro Stück
 
 Packungen
Infineon IGBT / 96 A ±30V max., 600 V 330 W, 3-Pin TO-247AC N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 96 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 330 W Gehäusegröße = TO-247AC Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl...
Infineon
IRGP4063PBF
ab € 9,49*
pro Stück
 
 Stück
Plasmaschneidegerät CUT 50 ST IGBT Einzelgerät m.Zub.STAHLWERK (2 Angebote) 
Der leistungsstarke STAHLWERK CUT 50 ST IGBT Plasmaschneider liefert kraftvolle 50 Ampere und verfügt über eine präzise Hochfrequenz (HF) Kontaktzündung für ein erstklassiges Zündverhalten. Die Sch...
STAHLWERK
1211-001
ab € 164,77*
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