Transistor  (12.670 Angebote unter 27.649.206 Artikeln)Zum Expertenwissen

Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 5 GHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15 V Betriebstemperatur, ma...

Beim Transistor wird der Stromfluss zwischen Emitter und Kollektor durch einen kleineren Stromfluss zwischen Emitter und Basis gesteuert. Bei der pnp Version ist die Basis gegenüber dem Emitter neg...

Technologie: TRANSISTOR PNP Kollektor-Emitter-Spannung: -40 V Kollektor-Base-Spannung: -60 V Emitter-Base-Spannung: -7 V Kollektorstrom: -1 A Verlustleistung @Ta=25 °C: 1 W Betriebstemperatur: -65 ...

Komplementärendstufen Germanium-Transistor, Typ=NTE102A, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=90 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannu...

Anzahl der Pins: 2 Pin(s) Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 200 °C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) Verlustleistung: 200 W DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100 hFE Kollektor-Emitter-Spannung, ...

Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 375 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl...

SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en. N-Kanal-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ31, 200 V, 14,5 A, 0,2 Ohm, TO220

Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN, PNP Übergangsfrequenz: 100 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45 ...

Das innovative Brick `R` knowledge System ermöglicht es, sich spielerisch mit Elektrotechnik und den wichtigsten Komponenten, Größen und Funktionsweisen auseinander zu setzen. Das System hilft zude...

Technologie: TRANSISTOR NPN Kollektor-Base-Spannung: 50 V Kollektor-Emitter-Spannung: 45 V Emitter-Base-Spannung: 5 V Kollektorstrom: 500 mA Verlustleistung @ Ta = 25 °C: 300 mW Betriebstemperatur:...

Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 V DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25 hFE Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 °C Transistormontage: Through Hole Qualifikation: - Dauer-Kollektorst...

Dauer-Kollektorstrom max. = 21 A Kollektor-Emitter-Spannung = 450 V Gate-Source Spannung max. = ±14V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl...

MOSFET NFET s Reihe IRF.../UF. Technische Merkmale (Typ, Polarität, Spannung (VDS), Widerstand (RDS), Strom (ID), Leistung, Gehäuse, Hersteller): IRF830, N, 500 V, 1500 m Ohm, 4,7 A, 75 W, TO220, C...

Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität:...

Funktioniert wie ein normaler npn-Transistor, zusätzlich ist die Basis mit einer Linse nah außen zugänglich. Der Strom durch Emitter Kollektorstrecke kann so zusätzlich durch Licht gesteuert werden.