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COMSET Semiconductors N-Kanal SIPMOS Power Transistor, TO-220, BUZ12-T


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Produktinformationen
COMSET Semiconductors N-Kanal SIPMOS Power Transistor, TO-220, BUZ12-T
COMSET Semiconductors N-Kanal SIPMOS Power Transistor, TO-220, BUZ12-T
Artikel-Nr.:
     4502-19S6180
Hersteller:
     COMSET Semiconductors
Herst.-Nr.:
     BUZ12-T
EAN/GTIN:
     4099879033062
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en. N-Kanal-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ12, 50 V, 42 A, 28 m Ohm, TO220, COMSET
Weitere Informationen:
Ausführung:
N-Kanal
Gehäuse:
TO-220
max. Temperatur:
150 °C
min. Temperatur:
-55 °C
Montage:
THT
Verlustleistung VA (AC):
125 VA
Ursprungsland:
CN
Gewicht:
0.002372 kg
SVHC frei:
Ja
RoHS konform:
Ja
Weitere Suchbegriffe: Transistor, feldeffekttransistor, Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, FET
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