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  IGBT  (2.555 Angebote unter 26.957.231 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"IGBT"

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IGBT PIM Mod.3ph.55A 2,3V 200W FP40R12KE3BOSA1 (2 Angebote) 
IGBT-Transistor, FP40R12KE3BOSA1, NXP Der Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ist ein Leistungshalbleiter mit drei Anschlüssen, der sich durch hohe Effizienz und schnelles Schalten auszeichnet...
Infineon
FP40R12KE3BOSA1
ab € 98,31*
pro Stück
 
 Stück
BROADCOM ACPL-32JT-000E OPTOKOPPLER, IGBT, 2.5A, 5000VRMS (3 Angebote) 
Bauform - Optokoppler: WSOIC Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Produktpalette: - Anzahl der Pins: 16 Pin(s) Isolationsspannung: 5 kV SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) RoHS konform: Ja
Broadcom
ACPL-32JT-000E
ab € 5,67*
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 Stück
Infineon IGBT / 100 A ±20V max., 1200 V 375 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 375 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl...
Infineon
IGW60T120FKSA1
ab € 17,06*
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IGBT, THT, 600 V, 20 A, TO-247, BIDW20N60T (2 Angebote) 
Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDW20N60T, Bourns Der IGBT-Baustein BIDW20N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines bipolaren Transistors zu einem optimalen Bauteil f...
Bourns
BIDW20N60T
ab € 1.169,922*
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 Packung
BROADCOM ACPL-331J-000E OPTOKOPPLER,SMD,IGBT TREIBER (3 Angebote) 
Bauform - Optokoppler: SOIC Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Produktpalette: - Anzahl der Pins: 16 Pin(s) Isolationsspannung: 5 kV SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) RoHS konform: Ja
Broadcom
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 Stück
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin TO-220AB N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 21 A Kollektor-Emitter-Spannung = 450 V Gate-Source Spannung max. = ±14V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl...
Fairchild
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 Packung
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Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDD05N60T, Bourns Der IGBT-Baustein BIDD05N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente f...
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BIDD05N60T
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 Stück
BROADCOM ACPL-332J-000E OPTOKOPPLER,SMD,IGBT TREIBER (1 Angebot) 
Bauform - Optokoppler: SOIC Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Produktpalette: - Anzahl der Pins: 16 Pin(s) Isolationsspannung: 5 kV SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) RoHS konform: Ja
Broadcom
ACPL-332J-000E
ab € 3,62*
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Infineon IGBT / 40 A ±20V max., 650 V 250 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (4 Angebote) 
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Infineon
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 Stück
IGBT, THT, 600 V, 30 A, TO-247N, BIDNW30N60H3 (3 Angebote) 
Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDNW30N60H3, Bourns Der IGBT-Baustein BIDW30N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente...
Bourns
BIDNW30N60H3
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BROADCOM HCPL-3120-500E OPTOCOUPLER, IGBT, 3.75KV, SM DIP-8 (1 Angebot) 
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Produktpalette: - Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Isolationsspannung: 3.75 kV SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) RoHS konform: Ja
Broadcom
HCPL-3120-500E
ab € 1,26*
pro Stück
 
 Stück
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 21 A Kollektor-Emitter-Spannung = 450 V Gate-Source Spannung max. = ±14V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pin...
Fairchild
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IGBT, THT, 600 V, 30 A, TO-247, BIDW30N60T (3 Angebote) 
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BIDW30N60T
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BROADCOM HCPL-314J-500E OPTOCOUPLER, IGBT, 5KV, WSOIC-16 (1 Angebot) 
Bauform - Optokoppler: WSOIC Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle Produktpalette: - Anzahl der Pins: 16 Pin(s) Isolationsspannung: 5 kV SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) RoHS konform: Ja
Broadcom
HCPL-314J-500E
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Infineon IGBT / 30 A ±20V max., 1200 V 217 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
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Infineon
IKW15N120H3FKSA1
ab € 8,14*
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Der IGBT als Halbleiterbauelement für die Leistungselektronik

Beim IGBT (Insulated Gate bipolar Transistor, auf Deutsch: Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode) handelt es sich um einen leistungsfähigen Transistor aus der Leistungselektronik, der äußerst hohe elektrische Spannungen bis hin zu mehreren Kilovolt verarbeiten kann. Auch kann diese Art von Transistor sehr hohe elektrische Ströme bis zu mehreren 1000 Ampere schalten. Dabei vereint dieses Bauteil die Vorteile herkömmlicher Bipolartransistoren mit denen von Feldeffekttransistoren. So besitzen IGBTs beispielsweise eine hohe Robustheit sowie eine nahezu leistungslose Ansteuerung. Diese erfolgt über den sogenannten Gate-Anschluss. Der Laststrom hingegen fließt über die Anschlüsse Kollektor und Emitter.

Vorteile des IGBT gegenüber anderen Leistungstransistoren

Durch die Begrenzung des Laststroms durch den IGBT ergibt sich eine gewisse Robustheit gegenüber Kurzschlüssen. Gleichzeitig verfügt dieses Leistungsbauteil über ein gutes Durchlassverhalten, das normalerweise einen Vorteil von Bipolartransistoren darstellt. Eine nahezu leistungslose Ansteuerung ergibt sich durch die Tatsache, dass der IGBT nicht durch einen Steuerstrom, sondern eine Steuerspannung geschaltet wird, wie dies auch beim Feldeffekttransistor oder der Elektronenröhre der Fall ist. Durch die extrem hohen Schaltleistungen bei verhältnismäßig geringen Ansteuerleistungen können die Bauteile in zahlreichen Gebieten der Leistungselektronik eingesetzt werden.

Anwendungsgebiete von IGBTs

Diese Bauteile werden in unterschiedlichen Bauformen für verschiedene Gebiete eingesetzt, zu denen beispielsweise Schaltnetzteile zählen sowie unterbrechungsfreie Stromversorgungen in USV-Anlagen, Wechselrichter oder Motorantriebe. Außerdem werden die Bauteile häufig in Verbindung mit elektronischen Transformatoren als Leistungsbauteile in Dimmern verwendet. Weitere Anwendungsgebiete bestehen beispielsweise in Zugkraftsteuerungen.

Die Kollektor-Emitter-Spannung des IGBTs

Die Angabe dieser Spannung ist eines der wichtigsten Auswahlkriterien für das Bauteil. Die angegebene Spannung ist eine maximale Spannungsfestigkeit. Äußerst wichtig ist, dass die maximal vorkommenden Spannungen in der vorgesehenen Schaltung zu keiner Zeit diese Spannungsangabe überschreiten können. Hierzu sollten auch unbedingt eventuell auftretende Spannungsspitzen, die abhängig von Schaltgeschwindigkeit und Induktivität der anzusteuernden Last auftreten können, berücksichtigt werden. Besonders durch die Selbstinduktivität von bestimmten Lasten können zum Teil äußerst hohe Induktionsspannungen auftreten, die bei der Dimensionierung des Bauteils berücksichtigt werden sollten.

Verschiedene Bauformen von IGBTs

Die nach Schaltleistung werden IGBTs in unterschiedlichen Gehäuseformen angeboten. Häufig verwendete Bauformen sind beispielsweise TO-220-Gehäuse oder auch Modulgehäuse. Bei der Montage dieser Bauteile sollte allerdings stets auf eine ausreichende Kühlung geachtet werden. Je nach Höhe der auftretenden Verlustleistung muss ein entsprechend dimensionierter Kühlkörper verwendet werden.

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