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"IGBT"

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N-Kanal IGBT STGB10NC60HDT4, 600 V 10 A 1MHz, D2PAK (TO-263) 3-Pin Einfach (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter- = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 65 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl = ...
ST Microelectronics
STGB10NC60HDT4
ab € 0,98*
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INFINEON IRS2106PBF MOSFET/IGBT-TREIBER HIGH/LOW-SIDE, DIP-8 (1 Angebot) 
Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 20 V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side Spitzenausgangsstrom: - Bauform - Treiber: DIP Betri...
Infineon
IRS2106PBF
ab € 1,26*
pro Stück
 
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N-Kanal IGBT IRG4BC30UDPBF, 600 V 23 A, TO-220AB 3-Pin Einfach (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 23 A Kollektor-Emitter- = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = Durchsteckmontage Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfigu...
Infineon
IRG4BC30UDPBF
ab € 1,63*
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 Stück
ON SEMICONDUCTOR FGH40N60UFDTU IGBT, N-KANAL, M.DIODE, 600V, 80A, TO247 (3 Angebote) 
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 600 V Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 V Produktpalette: - MSL: - Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: TO-247AB DC-Kollektors...
ON Semiconductor
FGH40N60UFDTU
ab € 1,96*
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Kemo Power MOSFET & IGBT Transistoren [S106] MOSFET/IGBT-Set (3 Angebote) 
Power MOSFET & IGBT Transistoren-Set Das Set enthält ca. 20 Stück MOSFETs und IGBTs verschiedener Typen. Technische Daten: Hersteller: Kemo · Produkt-Art: MOSFET/IGBT-Set · Typ (Hersteller-Typ): Po...
Kemo
S106
ab € 3,71*
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 Packung
INFINEON IRGB4059DPBF. SINGLE IGBT, 600V, Transistor Type:IGBT, (1 Angebot) 
Produktpalette: IRGB Series Betriebstemperatur, max.: 175 °C Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) DC-Kollektorstrom: 8 A Verlustleistung Pd: 56 W Kollektor-...
Infineon
IRGB4059DPBF.
ab € 1,83*
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 Stück
Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 20A; 180W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Verpackungs-Art: Tube Montage: SMD Technologie: GenX3™; PT Gehäuse: TO263 Transistor-Typ: IGBT Kollektorstrom im Impuls: 120A Anschaltzeit: 66ns Ausschaltzeit: 1.53µs Kollektor-Emi...
IXYS
IXGA20N120A3
ab € 2,53*
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IGBT Dual Thyristormodul VS-VSKT136/12PBF, 1200V 135A 50mA, INT-A-pak 7-Pin (1 Angebot) 
Thyristor-Typ = IGBT Gate-Triggerspannung max. = 4V Gate-Triggerstrom max. = 270mA Haltestrom max. = 200mA On-State Strom durchschnittlich = 135A Spitzen-Sperrspannung periodisch = 1200V Spitzenstr...
Vishay
VS-VSKT136/12PBF
ab € 55,01*
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BROADCOM ACPL-312T-000E OPTOKOPPLER,IGBT TREIBER (2 Angebote) 
Bauform - Optokoppler: DIP Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Produktpalette: - Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Isolationsspannung: 3.75 kV SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) RoHS konform: Keine Angaben
Broadcom
ACPL-312T-000E
ab € 2,79*
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ON SEMICONDUCTOR SGL50N60RUFDTU SINGLE IGBT, 600V, 80A, DC Collector Cur (1 Angebot) 
Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 80 A Verlustleistung Pd: 250 W Betriebstemperatur, max.: 150 °C Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5 V Bauform - Transist...
ON Semiconductor
SGL50N60RUFDTU
ab € 5,52*
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Transistor: IGBT; 600V; 23A; 100W; TO220AB (1 Angebot) 
Hersteller: Infineon (IRF) Gehäuse: TO220AB Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Transistor-Typ: IGBT Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Kollektor-Emitter-Strom: 23A Verlustleistung: 100W
INFINEON (IRF)
IRG4BC30WPBF
ab € 1,41*
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AEC-Q100 N-Kanal IGBT FGD3440G2-F085, 300 V 26,9 A 1MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin Einfach (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 26,9 A Kollektor-Emitter- = 300 V Gate-Source Spannung max. = ±10V Verlustleistung max. = 166 W Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl ...
ON Semiconductor
FGD3440G2-F085
ab € 1,18*
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INFINEON 1ED020I12F2XUMA1 IGBT-TREIBER, INV/NICHT INV, 2A, DSO-16 (3 Angebote) 
Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 15 V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 16 Pin(s) Treiberkonfiguration: Invertierend, nicht invertierend Spitzenausgangsstrom: 2 A Bauform - Treib...
Infineon
1ED020I12F2XUMA1
ab € 2,32*
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Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Technologie: GenX3™; Planar; XPT™ Montage: SMD Gehäuse: TO263 Verpackungs-Art: Tube Transistor-Typ: IGBT Kollektorstrom im Impuls: 105A Anschaltzeit: 51ns Ausschaltzeit: 132ns Koll...
IXYS
IXYA20N65C3D1
ab € 1,80*
pro Stück
 
 Stück
IGBT IGW75N60TFKSA1, 600 V 150 A, TO-247 3-Pin Einfach (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter- = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 428 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = Durchsteckmontage Pinanzahl = 3 Transi...
Infineon
IGW75N60TFKSA1
ab € 4,14*
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Der IGBT als Halbleiterbauelement für die Leistungselektronik

Beim IGBT (Insulated Gate bipolar Transistor, auf Deutsch: Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode) handelt es sich um einen leistungsfähigen Transistor aus der Leistungselektronik, der äußerst hohe elektrische Spannungen bis hin zu mehreren Kilovolt verarbeiten kann. Auch kann diese Art von Transistor sehr hohe elektrische Ströme bis zu mehreren 1000 Ampere schalten. Dabei vereint dieses Bauteil die Vorteile herkömmlicher Bipolartransistoren mit denen von Feldeffekttransistoren. So besitzen IGBTs beispielsweise eine hohe Robustheit sowie eine nahezu leistungslose Ansteuerung. Diese erfolgt über den sogenannten Gate-Anschluss. Der Laststrom hingegen fließt über die Anschlüsse Kollektor und Emitter.

Vorteile des IGBT gegenüber anderen Leistungstransistoren

Durch die Begrenzung des Laststroms durch den IGBT ergibt sich eine gewisse Robustheit gegenüber Kurzschlüssen. Gleichzeitig verfügt dieses Leistungsbauteil über ein gutes Durchlassverhalten, das normalerweise einen Vorteil von Bipolartransistoren darstellt. Eine nahezu leistungslose Ansteuerung ergibt sich durch die Tatsache, dass der IGBT nicht durch einen Steuerstrom, sondern eine Steuerspannung geschaltet wird, wie dies auch beim Feldeffekttransistor oder der Elektronenröhre der Fall ist. Durch die extrem hohen Schaltleistungen bei verhältnismäßig geringen Ansteuerleistungen können die Bauteile in zahlreichen Gebieten der Leistungselektronik eingesetzt werden.

Anwendungsgebiete von IGBTs

Diese Bauteile werden in unterschiedlichen Bauformen für verschiedene Gebiete eingesetzt, zu denen beispielsweise Schaltnetzteile zählen sowie unterbrechungsfreie Stromversorgungen in USV-Anlagen, Wechselrichter oder Motorantriebe. Außerdem werden die Bauteile häufig in Verbindung mit elektronischen Transformatoren als Leistungsbauteile in Dimmern verwendet. Weitere Anwendungsgebiete bestehen beispielsweise in Zugkraftsteuerungen.

Die Kollektor-Emitter-Spannung des IGBTs

Die Angabe dieser Spannung ist eines der wichtigsten Auswahlkriterien für das Bauteil. Die angegebene Spannung ist eine maximale Spannungsfestigkeit. Äußerst wichtig ist, dass die maximal vorkommenden Spannungen in der vorgesehenen Schaltung zu keiner Zeit diese Spannungsangabe überschreiten können. Hierzu sollten auch unbedingt eventuell auftretende Spannungsspitzen, die abhängig von Schaltgeschwindigkeit und Induktivität der anzusteuernden Last auftreten können, berücksichtigt werden. Besonders durch die Selbstinduktivität von bestimmten Lasten können zum Teil äußerst hohe Induktionsspannungen auftreten, die bei der Dimensionierung des Bauteils berücksichtigt werden sollten.

Verschiedene Bauformen von IGBTs

Die nach Schaltleistung werden IGBTs in unterschiedlichen Gehäuseformen angeboten. Häufig verwendete Bauformen sind beispielsweise TO-220-Gehäuse oder auch Modulgehäuse. Bei der Montage dieser Bauteile sollte allerdings stets auf eine ausreichende Kühlung geachtet werden. Je nach Höhe der auftretenden Verlustleistung muss ein entsprechend dimensionierter Kühlkörper verwendet werden.
Haben Sie Hinweise, Verbesserungs- oder Korrekturvorschläge zum Ratgebertext IGBT, dann informieren Sie uns bitte per Formular.

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
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UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
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