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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4,4A; 3,7W; SO8

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Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4,4A; 3,7W; SO8

Artikel-Nr.:
2805-SI4946BEY-T1-E3

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SI4946BEY-T1-E3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor

Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 4,4A
Widerstand im Leitungszustand: 52mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 3,7W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 25nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V

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Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor

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