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| Artikel-Nr.:
108EL-1807299 Herst.-Nr.:
SI4946BEY-T1-E3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 6,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SO-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,052 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Serie = TrenchFET Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 6,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SO-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,052 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Serie: | TrenchFET |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, 1807299, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI4946BEYT1E3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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