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"MOSFET"

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VISHAY SI2309CDS-T1-GE3 MOSFET, P-KANAL, -60V, -1.6A, SOT23 (3 Angebote) 
Beschreibung: MOSFET, P-KANAL, -60V, -1.6A, SOT23 RoHS konform: Ja Spannung, Ugs th(V) typ.: -1 V Leistungsverlust Pd: 1.7 W Dauerstrom, Id: -1.6 A max. Betriebstemperatur: 150 ᄚC MSL: - Bauform: S...
Vishay
SI2309CDS-T1-GE3
ab € 0,245*
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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6,8A; 125W; TO220AB (6 Angebote) 
Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -200V Drainstrom: -6.8A Leistung: 125W Gehäuse: TO220AB Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 0.5Ω Montag...
Vishay
IRF9640PBF
ab € 0,473*
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N-Kanal MOSFET IRF644SPBF, 250 V 14 A, D2PAK (TO-263) 3-Pin (3 Angebote) 
Transistor MOSFET N-Ch 250V 14A D2PAK - Diskrete Bauteile - Transistoren MOSFET
Vishay
IRF644SPBF
ab € 0,95*
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N-Kanal MOSFET SiHG47N60E-GE3, 600 V 47 A, TO-247AC 3-Pin (3 Angebote) 
Die Leistungs-MOSFETs der Serie E von Vishay umfassen Hochspannungs-Transistoren mit einem ultraniedrigen maximalen Widerstand und niedrigem Gütefaktor und ermöglichen schnelles Schalten. Sie sind ...
Vishay
SiHG47N60E-GE3
ab € 4,21*
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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3,6A; 1W; TSSOP8 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 3.6A Leistung: 1W Gehäuse: TSSOP8 Gate-Source Spannung: ±8V Widerstand im Leitungszustand: 43mΩ Montage: S...
Vishay
SI6926ADQ-T1-E3
ab € 0,36*
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VISHAY SI9926CDY-T1-E3 MOSFET, 2FACH, NN, SO-8 (3 Angebote) 
Beschreibung: MOSFET, 2FACH, NN, SO-8 RoHS konform: Ja Spannung, Ugs th(V) typ.: 1.5 V Leistungsverlust Pd: 3.1 W Dauerstrom, Id: 8 A max. Betriebstemperatur: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform...
Vishay
SI9926CDY-T1-E3
ab € 0,29*
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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3,4A; 3,1W; SO8 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 3.4A Leistung: 3.1W Gehäuse: SO8 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 72mΩ Montage: S...
Vishay
SI9945BDY-T1-GE
ab € 0,34*
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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4,4A; 3,7W; SO8 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 4.4A Leistung: 3.7W Gehäuse: SO8 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 52mΩ Montage: S...
Vishay
SI4946BEY-E3
ab € 0,42*
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VISHAY SI4946BEY-T1-E3 MOSFET DUAL,N,SOIC (5 Angebote) 
Beschreibung: MOSFET DUAL,N,SOIC RoHS konform: Ja Spannung, Ugs th(V) typ.: 2.4 V Leistungsverlust Pd: 2.4 W Dauerstrom, Id: 6.5 A max. Betriebstemperatur: 175 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der...
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SI4946BEY-T1-E3
ab € 0,41*
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VISHAY SI4946BEY-T1-GE3 MOSFET, 2FACH N-KANAL, 60V, 6.5A, SOIC (2 Angebote) 
Beschreibung: MOSFET, 2FACH N-KANAL, 60V, 6.5A, SOIC RoHS konform: Ja Spannung, Ugs th(V) typ.: 2.4 V Leistungsverlust Pd: 3.7 W Dauerstrom, Id: 6.5 A max. Betriebstemperatur: 175 ᄚC MSL: MSL 1 - u...
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SI4946BEY-T1-GE3
ab € 0,40*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 0,86A; 54W; TO220AB (3 Angebote) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 1000V Drainstrom: 0.86A Leistung: 54W Gehäuse: TO220AB Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 11Ω Montage:...
Vishay
IRFBG20PBF
ab € 0,492*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 2A; 125W; TO220AB (5 Angebote) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 1000V Drainstrom: 2A Leistung: 125W Gehäuse: TO220AB Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 5Ω Montage: TH...
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IRFBG30PBF
ab € 0,645*
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VISHAY IRFPG50PBF MOSFET, N-KANAL, 1000V, 6.1A, TO-247AC (4 Angebote) 
Beschreibung: MOSFET, N-KANAL, 1000V, 6.1A, TO-247AC RoHS konform: Ja Spannung, Ugs th(V) typ.: 4 V Leistungsverlust Pd: 180 W Dauerstrom, Id: 6 A max. Betriebstemperatur: 150 ᄚC MSL: - Anzahl der ...
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IRFPG50PBF
ab € 1,54*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,93A; 3,1W; SOT223 (3 Angebote) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 0.93A Leistung: 3.1W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: ±10V Widerstand im Leitungszustand: 0.76Ω Montage...
Vishay
IRLL110TRPBF
ab € 0,18*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB (4 Angebote) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 10A Leistung: 88W Gehäuse: TO220AB Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 0.16Ω Montage: ...
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IRF530PBF
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