Infineon HEXFET IRLML2402TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,2 A 540 mW, 3-Pin SOT-23

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,2 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 250 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 0.7V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.7V
Verlustleistung max. = 540 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = HEXFET

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 12 V bis 25 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.