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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0,53A; Idm: 2,6A; 1,8W; SOT223


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0,53A; Idm: 2,6A; 1,8W; SOT223
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0,53A; Idm: 2,6A; 1,8W; SOT223
Artikel-Nr.:
     2805-BSP149H6327XTSA1
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     BSP149H6327XTSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: SOT223
Drain-Source Spannung: 200V
Drainstrom: 0,53A
Widerstand im Leitungszustand: 3,5Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,8W
Polarisierung: unipolar
Technologie: SIPMOS™
Kanal-Art: schwach
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 2,6A
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