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IC: driver; IGBT Halbbrücke; high-side,Torsteuerung IGBT; -2÷1A


Menge:  Stück  
Produktinformationen
IC: driver; IGBT Halbbrücke; high-side,Torsteuerung IGBT; -2÷1A
IC: driver; IGBT Halbbrücke; high-side,Torsteuerung IGBT; -2÷1A
Artikel-Nr.:
     2805-2ED020I12-FI
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     2ED020I12-FI
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PG-DSO-18
Versorgungsspannung: 14...18V;0...5V
Ausgangsstrom: -2...1A
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver
Anzahl Kanäle: 2
Eigenschafte integrierter Schaltkreise: integrated bootstrap functionality;eingebauter Komparator;eingebauter Operationsverstärker
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Sicherung: Unterspannung UVP
Technologie: EiceDRIVER™
Integrierten Schaltkreises-Art: high-side;Torsteuerung IGBT
Topologie: IGBT Halbbrücke
Spannungsklasse: 1,2kV
Die Konditionen im Überblick1
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