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Vishay SI2308BDS-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,9 A 1,09 W, 3-Pin SOT-23


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Produktinformationen
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Vishay SI2308BDS-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,9 A 1,09 W, 3-Pin SOT-23
Artikel-Nr.:
     108EL-7103257
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI2308BDS-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040975644
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,9 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 156 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 1,09 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 4,5 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °CV

N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
1,9 A
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Gehäusegröße:
SOT-23
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
156 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
1V
Verlustleistung max.:
1,09 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:
4,5 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min.:
-55 °CV
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet sot-23, 7103257, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI2308BDST1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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