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| Artikel-Nr.:
108EL-2282936 Herst.-Nr.:
SIZ256DT-T1-GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 31,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 70 V
Serie = TrenchFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0176 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.5V
Transistor-Werkstoff = Si Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 31,8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 70 V | Serie: | TrenchFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0176 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.5V | Transistor-Werkstoff: | Si |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, 2282936, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIZ256DTT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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