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Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 70V; 31,8A; Idm: 60A


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     2805-SIZ256DT-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIZ256DT-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet vishay
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Drain-Source Spannung: 70V
Drainstrom: 31,8A
Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 33W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 27nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±12V
Drainstrom im Impuls: 60A
Weitere Suchbegriffe: smd transistor
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