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| Artikel-Nr.:
108EL-2047263 Herst.-Nr.:
SIZ270DT-T1-GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 19,1 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = PowerPAIR 3 x 3 S.
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0377 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Serie = SiZ270DT
Die Vishay Dual N-Channel 100 V (D-S) MOSFETs sind eine integrierte MOSFET-Halbbrücken-Leistungsstufe und haben ein optimiertes QGS/QGS-Verhältnis, das die Schalteigenschaften verbessert.100 % Rg- und UIS-geprüft Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 19,1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | PowerPAIR 3 x 3 S. | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0377 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Serie: | SiZ270DT |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, 2047263, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIZ270DTT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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