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Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 19,5A; 33W


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     2805-SIZ270DT-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIZ270DT-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet vishay
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 19,5A
Widerstand im Leitungszustand: 54,1/51,7mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 33W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 27nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 40A
Weitere Suchbegriffe: smd transistor
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