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Infineon HEXFET IRL3705ZSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 86 A 130 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)


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Infineon HEXFET IRL3705ZSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 86 A 130 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Artikel-Nr.:
     108EL-1658219
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRL3705ZSTRLPBF
EAN/GTIN:
     5059043994130
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 86 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 12 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 130 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +16 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 4.83mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
86 A
Drain-Source-Spannung max.:
55 V
Gehäusegröße:
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
12 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
3V
Gate-Schwellenspannung min.:
1V
Verlustleistung max.:
130 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
–16 V, +16 V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Höhe:
4.83mm
Weitere Suchbegriffe: mosfet infineon, smd transistor, mosfet d2pak, 1658219, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRL3705ZSTRLPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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