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  mosfet d2pak  (1.180 gefilterte Angebote unter 27.647.974 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"MOSFET"

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Infineon HEXFET IRF520NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 9,7 A 48 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (3 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9,7 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 200 mΩ Channel-Modus = ...
Infineon
IRF520NSTRLPBF
ab € 1,365*
pro 5 Stück
 
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Infineon AUIRLS3036-7P Transistor 60 V (1 Angebot)
Infineon
AUIRLS3036-7P
ab € 4,35*
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INFINEON IRFS7437TRLPBF MOSFET, N-KANAL, 40V, 250A, 175°C, 230W (3 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014 ohm Produktpalette: StrongIRFET HEXFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage K...
Infineon
IRFS7437TRLPBF
ab € 0,87*
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Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 55 V, 110 A, TO-263, IRF3205S (5 Angebote) 
MOSFETs, IRF3205STRLPBF, Infineon Technologies Der IRF3205STRLPBF ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der mit Hilfe fortschrittlicher Verarbeitungstechniken einen extrem niedrigen Durchlasswide...
Infineon
IRF3205STRLPBF
ab € 0,62*
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Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 55 V, 85 A, TO-252-3, IRF1010 (4 Angebote) 
MOSFETs, IRF1010NSTRLPBF, Infineon Technologies Der IRF1010NSTRLPBF ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der mit Hilfe fortschrittlicher Verarbeitungstechniken einen extrem niedrigen Durchlasswi...
Infineon
IRF1010NSTRLPBF
ab € 0,671*
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Infineon HEXFET IRF640NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 18 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 18 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 150 mΩ Channel-Modus = E...
Infineon
IRF640NSTRLPBF
ab € 9,57*
pro 10 Stück
 
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Infineon HEXFET IRF530NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 17 A 70 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 17 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 90 mΩ Channel-Modus = En...
Infineon
IRF530NSTRLPBF
ab € 11,78*
pro 20 Stück
 
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ONSEMI FDB0190N807L MOSFET, N-KANAL, 80V, 270A, TO-263-7 (3 Angebote) 
Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 270 A Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Drain-Source-Spannung Vds: 80 V Verlustleist...
onsemi
FDB0190N807L
ab € 2,43*
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Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 100 V, 150 A, D2PAK, SUM70030E-GE3 (3 Angebote) 
Transistor, SUM70030E-GE3, Vishay Features * Maximale 175 °C Sperrschichttemperatur * Sehr niedrige Qgd reduziert den Leistungsverlust beim Durchgang durch Vplateau * 100 % Rg und UIS getestet
Vishay
SUM70030E-GE3
ab € 1,96*
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Infineon IAUT300N08S5N014 Transistor 100 V (2 Angebote)
Infineon
IAUT300N08S5N014ATMA1
ab € 2,30*
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Infineon OptiMOS 3 IPB017N06N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 180 A 250 W, 7-Pin D2PAK-7 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 180 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = D2PAK-7 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Drain-Source-Widerstand max. = 1,7 mΩ Channel-Modus = Enhancem...
Infineon
IPB017N06N3GATMA1
ab € 2,43*
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Infineon SIPMOS SPB80P06PGATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 340 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 23 mΩ Channel-Modus = Enh...
Infineon
SPB80P06PGATMA1
ab € 3,04*
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Infineon OptiMOS 3 IPB200N15N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 50 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 50 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 20 mΩ Channel-Modus = En...
Infineon
IPB200N15N3GATMA1
ab € 2,29*
pro 2 Stück
 
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Infineon IPB320N20N3 G Transistor 200 V (3 Angebote)
Infineon
IPB320N20N3GATMA1
ab € 1,37*
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 Stück
Infineon OptiMOS 3 IPB025N10N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 180 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = D2PAK-7 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Drain-Source-Widerstand max. = 4,4 mΩ Channel-Modus = Enhance...
Infineon
IPB025N10N3GATMA1
ab € 4,64*
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