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Infineon HEXFET IRF1010ZSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 94 A 140 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)


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Produktinformationen
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Infineon HEXFET IRF1010ZSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 94 A 140 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Artikel-Nr.:
     108EL-1658196
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF1010ZSTRLPBF
EAN/GTIN:
     5059043994420
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 94 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 7,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 140 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 11.3mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
94 A
Drain-Source-Spannung max.:
55 V
Gehäusegröße:
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
7,5 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
140 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Breite:
11.3mm
Betriebstemperatur min.:
–55 °C
Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet d2pak, 1658196, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF1010ZSTRLPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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