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Infineon HEXFET IRF3205ZSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 110 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     108EL-2224734
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF3205ZSTRLPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 110 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0065 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Transistor-Werkstoff = Silicon
Serie = HEXFET

Das Infineon Design von HEXFET ® Leistungs-MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für ″Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren″. MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. ″Feldeffekt″ bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.Advanced Prozesstechnologie Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten Bleifrei, RoHS-konform
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
110 A
Drain-Source-Spannung max.:
55 V
Gehäusegröße:
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,0065 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Transistor-Werkstoff:
Silicon
Serie:
HEXFET
Weitere Suchbegriffe: mosfet infineon, smd transistor, mosfet 110a, 2224734, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF3205ZSTRLPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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