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ON Semiconductor FDV301N MOSFET 1 N-Kanal 350 mW SOT-23-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     102-1264012-BP
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDV301N
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
ON Semiconductor FDV301N MOSFET 1 N-Kanal 350 mW SOT-23-3

MOSFET

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 25 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 9.5 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 10 V · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · I(d): 220 mA · Leistung (max) P(TOT): 350 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Q(G): 0.7 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 4.5 V · R(DS)(on): 4 Ω · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 4.5 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 400 mA · Transistor-Merkmal: Logic Level Gate · U(DSS): 25 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 1.06 V

Weitere Informationen:
Inhalt:
1 St.
Hersteller:
ON Semiconductor
Anzahl Kanäle:
1
Marke:
ON Semiconductor
Gehäuseart (Halbleiter):
SOT-23-3
Ausführung (Transistoren):
N-Kanal
Transistor-Merkmal:
Logic Level Gate
Hersteller-Kürzel (Bauelemente):
OnS
Typ (Hersteller-Typ):
FDV301N
Montageart:
Oberflächenmontage
C(ISS):
9.5 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
10 V
I(d):
220 mA
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Betriebstemperatur (min.) (num):
-55 °C
Leistung (max) P(TOT):
350 mW
Q(G):
0.7 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
4.5 V
R(DS)(on):
4 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom:
400 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
4.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
U(DSS):
25 V
U(GS)(th) max.:
1.06 V
Abbruchspannung U(BR) (DSS):
25 V
Produkt-Art:
MOSFET
Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, smd transistor, ON Semiconductor, FDV301N, 121-2748, FET
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