Schalttransistor  (24.755 Angebote unter 29.255.804 Artikeln)Zum Expertenwissen

Transistor-Typ = NPN Dauer-Kollektorstrom max. = 800 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 60 V Basis-Emitter Spannung max. = 10 V Gehäusegröße = TO-92 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Transistor-Konfigur...

Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: E...

Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 85 W Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...

Technologie: TRANSISTOR PNP Kollektor-Emitter-Spannung: -45 V Emitter-Base-Spannung: -5 V Kollektorstrom: -0,2 A Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,6 W Betriebstemperatur: -65 -200 °C

SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Betriebstemperatur, max.: 200 °C Wandlerpolarität: NPN Qualifikation: - Transistormontage: Through Hole Anzahl der Pins: 2 Pin(s) Produktpalette: - RoHS konform: Ja

PUT steht für Programmable Unijunction Transistor. Das "Gate" verbindet die Anode und Kathode, die sich an der ersten und der letzten p-n-dotierten Schicht befinden. Der PUT enthält drei p-n-Übergä...

SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en. N-Kanal-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ71, 50 V, 14 A, 0,1 Ohm, TO220, COMSET

Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 333 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Transistor-K...

Produktpalette: DTC143Z Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandl...

IGBT, Typ=IXGH30N120B3D1, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Leckstrom=100 nA, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=1.2 kV, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung ...

Technologie: TRANSISTOR NPN Kollektor-Emitter-Spannung: 60 V Kollektor-Base-Spannung: 60 V Emitter-Base-Spannung: 5 V Kollektorstrom: 2 A maximaler Kollektorstrom: 6 A Verlustleistung @Ta=25 °C: 1,...

DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15 hFE Bauform - Transistor: TO-3 Qualifikation: - MSL: - Dauer-Kollektorstrom: 16 A Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Verlustleis...

MOSFET NFET en Reihe IRF. Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): IRF640, TO220, COMSET

Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 326 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...

Produktpalette: - MSL: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Einfach PNP Betrie...