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  Schalttransistor  (24.564 Angebote unter 27.083.896 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Schalttransistor"

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STMICROELECTRONICS TIP47. BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 250V, TO-220, T (5 Angebote) 
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150 hFE Wandlerpolarität: NPN Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Through Hole Bauform - Transistor: TO-220 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1 A Betr...
ST Microelectronics
TIP47.
ab € 0,256*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 96 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-247AC N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 96 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = TO-247AC Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration...
Infineon
IRGP4063DPBF
ab € 3,48*
pro Stück
 
 Stück
Infineon BSS123N Transistor 100 V (4 Angebote)
Infineon
BSS123NH6327XTSA1
ab € 0,0611*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 kohm (2 Angebote) 
Produktpalette: DTA113Z Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 1 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandler...
ROHM Semiconductor
DTA113ZKAT146
ab € 0,0298*
pro Stück
 
 Packungen
Infineon IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 110 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pin...
Infineon
IGB10N60TATMA1
ab € 11,61*
pro 20 Stück
 
 Packung
IGBT, SMD, 600 V, 5 A, DPAK, BIDD05N60T (3 Angebote) 
Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDD05N60T, Bourns Der IGBT-Baustein BIDD05N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente f...
Bourns
BIDD05N60T
ab € 0,572*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V (2 Angebote) 
Produktpalette: UMD3N Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 kohm Anzahl der Pins: 6 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerp...
ROHM Semiconductor
UMD3NTR
ab € 0,0663*
pro Stück
 
 Packungen
Infineon IGBT / 30 A ±20V max., 1200 V 217 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 217 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
Infineon
IKW15N120H3FKSA1
ab € 6,52*
pro 2 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT / 75 A ±20V max., 1200 V 270 W, 3-Pin TO-247 (4 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 270 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Transistor-K...
Infineon
IGW40T120FKSA1
ab € 4,56*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm (3 Angebote) 
Produktpalette: DTA143E Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wand...
ROHM Semiconductor
DTA143EKAT146
ab € 0,0298*
pro Stück
 
 Packung
Infineon IGBT / 30 A ±20V max., 650 V 105 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 105 W Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...
Infineon
IKP15N65F5XKSA1
ab € 1,57*
pro Stück
 
 Stück
IGBT, THT, 600 V, 30 A, TO-247, BIDW30N60T (3 Angebote) 
Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDW30N60T, Bourns Der IGBT-Baustein BIDW30N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente f...
Bourns
BIDW30N60T
ab € 2,04*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V (2 Angebote) 
Produktpalette: UMD9N Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 kohm Anzahl der Pins: 6 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerp...
ROHM Semiconductor
UMD9NTR
ab € 0,0769*
pro Stück
 
 Packungen
Infineon IGBT-Modul / 105 A ±20V max., 1200 V 355 W AG-ECONO3-3 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 105 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 355 W Gehäusegröße = AG-ECONO3-3 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ...
Infineon
FP75R12KE3BOSA1
ab € 167,35*
pro Stück
 
 Stück
Transistor-Haltefeder (1 Angebot) 
Einrast-Transistorhaltefeder für Profil-Kühlkörper Typ Fischer THFU. Für Gehäusetypen TO 218, TO 220, TO 247, TO 264 und diverse SiP-Multiwatt usw; Material: Stahl, rostfrei, 0,8 mm, Federkraft: 60...
Fischer Elektronik
10065593
ab € 0,132*
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