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  MOSFET  (15.036 Angebote unter 27.585.906 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"MOSFET"

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COMSET Semiconductors N-Kanal Power MOS Transistor, TO-220, IRF640-PBF (1 Angebot) 
MOSFET NFET en Reihe IRF. Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): IRF640, TO220, COMSET
COMSET Semiconductors
IRF640-PBF
ab € 1,55*
pro Stück
 
 Stück
Wolfspeed CAS300M12BM2 N-KanalDual, Schraub MOSFET 1200 V / –40 A 1,66 kW, 7-Pin Halbbrücke (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = –40 A Drain-Source-Spannung max. = 1200 V Gehäusegröße = Halbbrücke Montage-Typ = Schraubmontage Pinanzahl = 7 Drain-Source-Widerstand max. = 9,8 mΩ Channel-...
Wolfspeed
CAS300M12BM2
ab € 855,16*
pro Stück
 
 Stück
ONSEMI BVSS123LT1G MOSFET, AEC-Q101, N-KANAL, 100V, SOT-23 (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer...
onsemi
BVSS123LT1G
ab € 0,0537*
pro Stück
 
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Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 200 V, 18 A, TO-220, IRF640NP (9 Angebote) 
MOSFETs, IRF640NPBF, Infineon Technologies Der IRF640NPBF ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der mit Hilfe fortschrittlicher Verarbeitungstechniken einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand p...
Infineon
IRF640NPBF
ab € 0,30*
pro Stück
 
 Stück
Infineon HEXFET IRF1404ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 190 A 220 W, 3-Pin TO-220AB (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 190 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 4 mΩ Channel-Modus = Enhanceme...
Infineon
IRF1404ZPBF
ab € 1,64*
pro 2 Stück
 
 Packung
Infineon
IRFP3006PBF
ab € 2,54*
pro Stück
 
 Stück
ROHM RUC002N05HZGT116 MOSFET, AEC-Q101, N-KANAL, 50V, SOT-23 (3 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Da...
ROHM Semiconductor
RUC002N05HZGT116
ab € 0,0404*
pro Stück
 
 Packungen
IXYS IXTH360N055T2 MOSFET 1 N-Kanal 935 W TO-247AD (5 Angebote) 
IXYS IXTH360N055T2 MOSFET 1 N-Kanal 935 W TO-247AD Transistor unipolar (MOSFET) Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 55 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betrieb...
IXYS
IXTH360N055T2
ab € 6,44*
pro Stück
 
 Stück
MULTICOMP PRO 2N7002-7-F MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, S (1 Angebot) 
Dauer-Drainstrom Id: 115 mA MSL: - Betriebstemperatur, max.: 150 °C Drain-Source-Spannung Vds: 60 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2 ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Kanaltyp: N Channel Anzahl...
Multicomp
2N7002-7-F
ab € 0,0233*
pro Stück
 
 Stück
Joy-it COM-MOSFET Spannungsregler 1St. (4 Angebote) 
Mit dem COM-MOSFET können Sie eine Spannung von bis zu 36 Volt steuern. Mit Hilfe von Pulsweitenmodulation kann auch die Effektivspannung gesenkt wer-den (z. B. zum Dimmen einer LED Beleuchtung). F...
Joy-It
COM-MOSFET
ab € 4,29*
pro Stück
 
 Stück
MOSFET, N-Kanal, 60V, 360mA, SOT-23 (1 Angebot) 
MOSFET, Typ=BSS138P, Abfallzeit=4 ns, Anstiegzeit=3 ns, Ausschaltverzögerung=9 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=60 V, Einschaltverzö...
NXP
BSS138P
ab € 0,0424*
pro Stück
 
 Stück
IRF520PBF TO220 THT N-CHANNEL POWER MOSFET (6 Angebote) 
Technologie: N-CHANNEL POWER MOSFET Drain-Source-Spannung: 100 V Gate-Source-Spannung: +/- 20 V Drain-Strom: 9,2 A Drain-Strom (pulsierend): 37 A Avalanche-Strom (sich wiederholend): 9,2 A Verlustl...
Vishay
IRF520PBF
ab € 0,28*
pro Stück
 
 Stück
ONSEMI 2V7002LT1G MOSFET, N-KANAL, 60V, 0.115A, SOT-23 (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dau...
onsemi
2V7002LT1G
ab € 0,148*
pro Stück
 
 Packung
Diodes N-Kanal MOSFET, 100 V, 1 A, SOT-89, ZXMN10A07ZTA (3 Angebote) 
MOSFET, ZXMN10A07ZTA, Diodes Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hochef...
Diodes
ZXMN10A07ZTA
ab € 0,212*
pro Stück
 
 Stück
DiodesZetex DMG4413LSS-13 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 12 A 2,2 W, 8-Pin SOIC (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 12 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = SOIC Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 10,2 mΩ Channel-Modus = Enhancement...
Diodes
DMG4413LSS-13
ab € 3,86*
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Der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, kurz Mosfet

Der Mosfet gehört zu den aktiven elektronischen Bauelementen und funktioniert im Prinzip wie ein spannungsgesteuerter Widerstand. Er besitzt wie andere Transistoren ebenfalls drei Anschlüsse. Diese lauten aber beim Mosfet nicht Kollektor, Emitter und Basis, sondern Source, Drain und Gate. Am Anschluss Source liegt beim Mosfet die Quellspannung an. Der Stromfluss erfolgt zum Anschluss Drain. Über den Anschluss Gate kann die Höhe des Laststroms gesteuert werden. Im Gegensatz zum Transistor erfolgt beim Mosfet aber keine stromabhängige Steuerung des Bauteils, sondern eine spannungsabhängige Steuerung. An dieser Stelle besteht eine Ähnlichkeit zur Elektronenröhre, bei der ebenfalls die Steuerung spannungsabhängig ist. Die speziellen elektrischen Eigenschaften dieser Bauteile machen sie relativ empfindlich gegen elektrostatische Aufladungen.

Der Unterschied zwischen N-Kanal und P-Kanal

Es gibt zwei unterschiedliche Ansteuerungsarten bei Mosfets. Bei einem N-Kanal- Mosfet erfolgt die Ansteuerung des Anschlusses Gate über eine positive Spannung, während die Ansteuerung eines P-Kanal- Mosfet süber eine negative Steuerspannung erfolgen muss. Die Steuerspannung eines Mosfet sbezieht sich immer auf den Anschluss Source. Das heißt Folgendes: Die Steuerspannung bei einem N-Kanal-Mosfet muss immer einen positiven Wert gegenüber dem Anschluss Source aufweisen, während es bei einem P-Kanal-Mosfet ein negativer Spannungswert gegenüber dem Anschluss Source sein muss. N-Kanal-Mosfet kommen in der Praxis wesentlich häufiger vor als P-Kanal- Mosfets. Die entsprechende Ausführung ist bei der Artikelbezeichnung angegeben.

Mögliche Gehäusetypen von Mosfets

  • Auch Mosfet sgibt es in zahlreichen unterschiedlichen Gehäuseformen sowohl für die SMD-Technik als auch für den Einsatz in Schaltungen mit einem konventionellen Aufbau.
  • Zu den gängigen SMD-Bauteilen gehören beispielsweise die Gehäusetypen SO, SOT, SOIC, TSOP sowie TSSOP.
  • Bauteile in der konventionellen Technik besitzen beispielsweise die Gehäuseformen DIL und alle Gehäusetypen, die mit der Bezeichnung TO beginnen.

Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung

Die beiden Anschlüsse Drain und Source lauten übersetzt Abfluss und Quelle. Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung bezieht sich auf eben diese beiden Anschlüsse. Es handelt sich bei dieser Spannungsangabe um die maximal zulässige Spannung zwischen diesen beiden Anschlüssen eines solchen Bauteils.

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
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