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| Artikel-Nr.:
108EL-7514102 Herst.-Nr.:
DMG4413LSS-13 EAN/GTIN:
5059043934235 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 12 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 10,2 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.1V
Verlustleistung max. = 2,2 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 1.5mm
P-Kanal-MOSFET, 30 V, Diodes Inc Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 12 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 10,2 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.1V | Verlustleistung max.: | 2,2 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 1.5mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 7514102, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMG4413LSS13, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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