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"MOSFET"

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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3,7A; 4,24W; DPAK (2 Angebote) 
Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -3.7A Leistung: 4.24W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 0.285Ω Montag...
Diodes
ZXMP10A16KTC
ab € 0,40*
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MOSFET N, 100 V 0.17 A 0.36 W SOT-23 (1 Angebot) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 0.36 W
Diodes
BSS123Q-13
ab € 0,1596*
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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2,9A; 1,08W; SOT23 (3 Angebote) 
Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -2.9A Leistung: 1.08W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 0.12Ω Montage...
Diodes
DMP3098L-7
ab € 0,0507*
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MOSFET P, 20 V 3.6 A 0.81 W SOT-23 (1 Angebot) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: P, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 0.81 W
Diodes
DMP2035U-7
ab € 0,1974*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0,2A; 200mW; SOT323 (5 Angebote) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 50V Drainstrom: 0.2A Leistung: 200mW Gehäuse: SOT323 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 3.5Ω Montage: ...
Diodes
BSS138W-7-F
ab € 0,0224*
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MOSFET N, 100 V 2.9 A 2 W SOT-223 (2 Angebote) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-223, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 2 W
Diodes
ZXMN10A08GTA
ab € 0,26*
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DIODES INC. BSS138-7-F MOSFET, N-KANAL, 50V, 0.2A, SOT23-3 (3 Angebote) 
Beschreibung: MOSFET, N-KANAL, 50V, 0.2A, SOT23-3 RoHS konform: Ja Spannung, Ugs th(V) typ.: 1.2 V Leistungsverlust Pd: 300 mW Dauerstrom, Id: 200 mA max. Betriebstemperatur: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - un...
Diodes
BSS138-7-F
ab € 0,0213*
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Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 2,2/-2,1A; 2,4W; SO8 (2 Angebote) 
Transistor-Typ: N/P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100/-100V Drainstrom: 2.2/-2.1A Leistung: 2.4W Gehäuse: SO8 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 0.23/...
Diodes
ZXMC10A816N8TC
ab € 0,35*
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MOSFET DIODES Incorporated ZXMN6A11ZTA 1 N-Kanal 1.5 W SOT-89-3 (3 Angebote) 
MOSFET Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 60 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 ...
Diodes
ZXMN6A11ZTA
ab € 0,693*
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MOSFET DIODES Incorporated ZXMP6A17GTA 1 P-Kanal 2 W SOT-223 (4 Angebote) 
MOSFET Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 60 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): P-Kanal · Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 ...
Diodes
ZXMP6A17GTA
ab € 0,257*
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DIODES INC. DMN6140L-7 MOSFET, N-KANAL, 20V, SOT-23-3 (3 Angebote) 
Beschreibung: MOSFET, N-KANAL, 20V, SOT-23-3 RoHS konform: Ja Spannung, Ugs th(V) typ.: 3 V Leistungsverlust Pd: 700 mW Dauerstrom, Id: 1.6 A max. Betriebstemperatur: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt...
Diodes
DMN6140L-7
ab € 0,0622*
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DIODES INC. DMG3415U-7 MOSFET, P-KANAL, 20V, 4A, SOT-23 (3 Angebote) 
Beschreibung: MOSFET, P-KANAL, 20V, 4A, SOT-23 RoHS konform: Ja Spannung, Ugs th(V) typ.: -550 mV Leistungsverlust Pd: 900 mW Dauerstrom, Id: -4 A max. Betriebstemperatur: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbeg...
Diodes
DMG3415U-7
ab € 0,058*
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MOSFET N, 30 V 3.8 A 1.4 W SOT-23 (1 Angebot) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 1.4 W
Diodes
DMN3150L-7
ab € 0,2638*
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N-Kanal MOSFET DMN1019UFDE-7, 12 V 11 A, U-DFN2020 6-Pin (2 Angebote) 
MOSFET N-Kanal Trans 12 V 11 A DFN6 EP - Diskrete Bauteile - Transistoren MOSFET
Diodes
DMN1019UFDE-7
ab € 0,14*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; 290mW; SOT323 (2 Angebote) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 1A Leistung: 290mW Gehäuse: SOT323 Gate-Source Spannung: ±6V Widerstand im Leitungszustand: 0.3Ω Montage: SMD...
Diodes
DMG1012UW-7
ab € 0,0271*
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