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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; D2PAK,TO263


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     2805-SIHB11N80AE-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHB11N80AE-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK;TO263
Drain-Source Spannung: 800V
Drainstrom: 5A
Widerstand im Leitungszustand: 0,45Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 78W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 42nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 22A
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