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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 95A; Idm: 300A


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     2805-SIDR870ADP-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIDR870ADP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 95A
Widerstand im Leitungszustand: 10,5mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 125W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 80nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 300A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor
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