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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2,8A; Idm: 50A; 1W

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Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2,8A; Idm: 50A; 1W

Artikel-Nr.:
2805-SI4488DY-T1-GE3

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SI4488DY-T1-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor

Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: 150V
Drainstrom: 2,8A
Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 36nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 50A

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Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, vishay diode, smd transistor

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