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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 3,8A; Idm: 14A


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 3,8A; Idm: 14A
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 3,8A; Idm: 14A
Artikel-Nr.:
     2805-SI3474DV-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI3474DV-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: TSOP6
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 3,8A
Widerstand im Leitungszustand: 126mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 2,33W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 10,4nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 14A
Die Konditionen im Überblick1
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