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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 479A; 195W

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Produktinformationen

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Artikel-Nr.:
2805-PSMN5R2-60YLX

Hersteller:
Nexperia

Herst.-Nr.:
PSMN5R2-60YLX

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor

Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 100A
Widerstand im Leitungszustand: 4,6mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 195W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 78,4nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 479A

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Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet 100a, smd transistor

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