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IC: driver; low-side,Steuerung für Gates; SO8-EP; -9÷9A; Ch: 1


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Produktinformationen
IC: driver; low-side,Steuerung für Gates; SO8-EP; -9÷9A; Ch: 1
IC: driver; low-side,Steuerung für Gates; SO8-EP; -9÷9A; Ch: 1
Artikel-Nr.:
     2805-IXDD609SI
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXDD609SI
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Betriebstemperatur: -40...125°C
Gehäuse: SO8-EP
Versorgungsspannung: 4,5...35V
Anschaltzeit: 115ns
Ausschaltzeit: 105ns
Ausgangsstrom: -9...9A
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver
Anzahl Kanäle: 1
Ausgangs-Art: nicht reversibel
Verpackungs-Art: Tube
Integrierten Schaltkreises-Art: low-side;Steuerung für Gates
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