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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2,6A; 0,5W; SuperSOT-3


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onsemi PowerTrench FDN306P P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 2,6 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
Artikel-Nr.:
     2805-FDN306P
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDN306P
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: SuperSOT-3
Drain-Source Spannung: -12V
Drainstrom: -2,6A
Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 0,5W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
Gate-Ladung: 17nC
Technologie: PowerTrench®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±8V
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