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| Artikel-Nr.: 139-2251962 Herst.-Nr.: FDN306P EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04 ohmProduktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 2.6 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: SuperSOT Drain-Source-Spannung Vds: 12 VVerlustleistung: 500 mWQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600 mVSVHC: No SVHC (23-Jan-2024) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FDN306P, 2251962, 225-1962 |
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