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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150mA; Idm: 0,8A; 340mW


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150mA; Idm: 0,8A; 340mW
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150mA; Idm: 0,8A; 340mW
Artikel-Nr.:
     2805-DMN67D7L-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN67D7L-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23-3
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 0,15A
Widerstand im Leitungszustand: 7,5Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,34W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 821pC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±40V
Drainstrom im Impuls: 0,8A
Die Konditionen im Überblick1
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