MOSFET der EF-Serie, N-Kanal, 600V, 19A, TO-263

MOSFET der EF-Serie, Typ=SIHB22N60EF-GE3, Abfallzeit=25 ns, Anstiegzeit=21 ns, Ausschaltverzögerung=58 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=600 V, Einschaltverzögerung=15 ns, Gate-Source-Spannung=30 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=19 A, Leistungsverteilung (PV)=179 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Widerstand EIN (Rds(On))=158 mΩ, Bauform=TO-263, Konfiguration=Einfach, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=N-Kanal, Verpackung=Band & Rolle