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| Artikel-Nr.:
108EL-1780813 Herst.-Nr.:
IRLZ14PBF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 200 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 43 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -10 V, +10 V
Breite = 4.7mm
Höhe = 9.01mm
N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 10 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 200 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 43 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -10 V, +10 V | Breite: | 4.7mm | Höhe: | 9.01mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, feldeffekttransistor, mosfet 10a, 1780813, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRLZ14PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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