Produktinformationen: | | |
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| Artikel-Nr.: 108EL-1688747 Herst.-Nr.: IRLL2705TRPBF EAN/GTIN: 5059043386423 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5,2 A Drain-Source-Spannung max. = 55 V Gehäusegröße = SOT-223 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 65 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2V Gate-Schwellenspannung min. = 1V Verlustleistung max. = 2,1 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = –16 V, +16 V Breite = 3.7mm Serie = HEXFET
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 5,2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 55 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 65 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 2,1 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –16 V, +16 V | Breite: | 3.7mm | Serie: | HEXFET |
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| Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, smd transistor, mosfet sot-223, 1688747, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRLL2705TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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