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Infineon HEXFET IRF7507TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,7 A; 2,4 A 1,25 W, 8-Pin MSOP


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Infineon HEXFET IRF7507TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,7 A; 2,4 A 1,25 W, 8-Pin MSOP
Artikel-Nr.:
     108EL-1660905
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF7507TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043209562
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 1,7 A; 2,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = MSOP
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 140 mΩ, 270 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 0.7V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.7V
Verlustleistung max. = 1,25 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Transistor-Werkstoff = Si
Betriebstemperatur min. = –55 °C

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Infineon. Die Zweifach-Leistungs-MOSFETs von Infineon integrieren zwei HEXFET®-Bauelemente für platzsparende, kostengünstige Schaltlösungen bei hoher Bauteildichte für Anwendungen mit beschränktem Platinenplatz. Verschiedene Optionen stehen zur Verfügung, und Designer können die Zweifach-N/P-Kanal-Konfiguration wählen.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N, P
Dauer-Drainstrom max.:
1,7 A; 2,4 A
Drain-Source-Spannung max.:
20 V
Gehäusegröße:
MSOP
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
140 mΩ, 270 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
0.7V
Gate-Schwellenspannung min.:
0.7V
Verlustleistung max.:
1,25 W
Transistor-Konfiguration:
Isoliert
Gate-Source Spannung max.:
-12 V, +12 V
Transistor-Werkstoff:
Si
Betriebstemperatur min.:
–55 °C
Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, smd transistor, 1660905, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF7507TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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