Produktinformationen: | | |
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| Artikel-Nr.: 108EL-1655867 Herst.-Nr.: BSS131H6327XTSA1 EAN/GTIN: 5059043449470 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 110 mA Drain-Source-Spannung max. = 240 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 20 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 1.8V Gate-Schwellenspannung min. = 0.8V Verlustleistung max. = 360 mW Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Breite = 1.3mm Serie = SIPMOS
N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS® Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 110 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 240 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 20 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.8V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.8V | Verlustleistung max.: | 360 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 1.3mm | Serie: | SIPMOS |
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| Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, smd transistor, mosfet sot-23, 1655867, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSS131H6327XTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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| | | | | Rückgaberechte für diesen Artikel: Lager 108 | | | Zeitraum: | innerhalb von 30 Tagen | Verpackungszustand: | Originalverpackung ungeöffnet, ohne Beschädigung | Warenzustand: | unbenutzt | Rücksendekosten: | trägt der Kunde | Bearbeitungsgebühr: | keine | Die Gewährleistungsfrist laut AGB bleibt unabhängig der angegebenen Rückgaberechte bestehen. |
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