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Vishay SI4134DY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9,9 A 2,5 W, 8-Pin SOIC


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Vishay SI4134DY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9,9 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
Artikel-Nr.:
     108EL-1652664
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI4134DY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040910690
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet vishay
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9,9 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 14 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 2,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Länge = 5mm
Höhe = 1.5mm

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
9,9 A
Drain-Source-Spannung max.:
30 V
Gehäusegröße:
SOIC
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
14 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
1.2V
Verlustleistung max.:
2,5 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Länge:
5mm
Höhe:
1.5mm
Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 1652664, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI4134DYT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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