|  |
| |
| Artikel-Nr.:
108EL-1662620 Herst.-Nr.:
FDS8878 EAN/GTIN:
5059042238327 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10,2 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Serie = PowerTrench
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 14 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 2,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm
Betriebstemperatur min. = –55 °Cmm
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 10,2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Serie: | PowerTrench | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 14 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 2,5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °Cmm | Betriebstemperatur min.: | –55 °Cmm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet 10a, 1662620, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDS8878, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |