Infineon OptiMOS BSL215CH6327XTSA1 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 500 mW, 6-Pin TSOP-6

Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 1,5 A (N-Kanal), –1,5 A (P-Kanal)
Drain-Source-Spannung max. = 20 (N-Kanal) V, –20 (P-Kanal) V
Gehäusegröße = TSOP-6
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 250 mΩ, 280 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 0.6 V, 1.2V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.7 V, 1.2V
Verlustleistung max. = 500 mW
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Breite = 1.6mm
Serie = OptiMOS

Infineon OptiMOS™-Zweifach-Leistungs-MOSFET